【技术实现步骤摘要】
本申请涉及金属有机物化学气相沉积，尤其涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的复机方法。
技术介绍
1、金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition，mocvd)是一种气相外延生长(vpe)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，广泛应用于半导体材料的外延生长，是目前gan外延片的主流制造方法。
2、具体应用时，随着mocvd机台运行次数的增加，mocvd机台的反应腔需要进行定期的维护保养动作，而mocvd机台的反应腔在维护保养完，重新应用前需要进行复机流程。但目前mocvd机台的反应腔的复机流程耗时较长，严重影响了mocvd机台的生产稼动率，其中，所述生产稼动率是指一台机器设备实际的生产数量与可能的生产数量的比值。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，以提高金属有机物化学气相沉积设备的生产稼动率。
2、为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
3、一种金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，包括：
4、对所述金属有机物化学气相沉积设备的反应腔进行第一预处理，以对所述反应腔内的杂质进行清扫；
5、向所述反应腔内通入铝源，对所述反应腔进行第二预处理，并在所述反应腔内壁形成环境恢复层，所述环境恢复层包括镁离子和铝离子；
6、在所述环境恢复层表面形成覆盖层，所述覆盖层包括镁离子和镓离子。
...【技术保护点】
1.一种金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，对所述金属有机物化学气相沉积设备的反应腔进行第一预处理包括：
3.根据权利要求2所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，向所述反应腔内通入第二气体，对所述反应腔进行热处理包括：
4.根据权利要求2所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，利用第一气体，对所述反应腔进行冲抽处理包括：利用第一气体，对所述反应腔进行预设次数的冲抽处理；其中，所述预设次数大于1，一次冲抽处理包括：
5.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，所述预设次数的取值范围为5～20，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，向所述反应腔内通入铝源，对所述反应腔进行第二预处理，并在所述反应腔内壁形成环境恢复层，所述环境恢复层包括镁离子和铝离子包括：
7.根据权利要求6所述的金属有机物化学气相沉积设备的
8.根据权利要求6所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，在所述环境恢复层表面形成覆盖层，所述覆盖层包括镁离子和镓离子包括：
9.根据权利要求6所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，所述覆盖层还包括铟离子，在所述环境恢复层表面形成覆盖层包括：
10.根据权利要求8或9所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，所述第一流量是所述第二流量的10～20倍。
11.根据权利要求9所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，通入所述反应腔内的Mg/Ga比取值范围为0.3：1～1：1；通入所述反应腔内的In/Ga比的取值范围为3：1～8：1。
...【技术特征摘要】
1.一种金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，对所述金属有机物化学气相沉积设备的反应腔进行第一预处理包括：
3.根据权利要求2所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，向所述反应腔内通入第二气体，对所述反应腔进行热处理包括：
4.根据权利要求2所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，利用第一气体，对所述反应腔进行冲抽处理包括：利用第一气体，对所述反应腔进行预设次数的冲抽处理；其中，所述预设次数大于1，一次冲抽处理包括：
5.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，所述预设次数的取值范围为5～20，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积设备的复机方法，其特征在于，向所述反应腔内通入铝源，对所述反应腔进行第二预处理，并在所述反应腔内壁形成环境恢复层，所述环境恢复层包括镁离子和铝离...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗文博，翁聪，吴洪浩，鲍传保，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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