【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种单晶硅的生产控制方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、光伏行业内单晶硅的生产一般采用直拉法生产单晶硅，在单晶生长过程中，利用提拉机构和籽晶夹头将籽晶浸入石英坩埚内的硅熔体中，并利用提拉机构将籽晶向上缓慢提拉，通过这种方式在籽晶的下方生长出一定直径的单晶硅棒。为减少成本，逐步采用连续复投料拉晶工艺，可以连续生产出多根单晶硅棒。
2、随着单晶硅生长长度的增加，单晶硅棒的直径和重量不断增加，导致石英坩埚内的硅熔体深度逐渐下降，随着硅熔体液面的下降，液口距会逐渐增大，而为了保持单晶硅稳定的生长环境，需要保持液口距地大小不变，而现有技术中需采用固定的埚升随动比参数来进行坩埚上升的补偿以保证液口距地大小相对稳定。目前，所使用的测量方法由于实际生产过程中单晶硅棒的直径并不是一个固定值，而是动态变化的，因此可能会产生较大的测量误差。且，晶体生长过程中由于操作人员巡检炉台设备具有一定的时间间隔，若发生晶体断线，操作人员不能及时发现，导致晶体断线后仍然继续生长很长一段长度，会造成很大的生产成本浪费。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述获取晶棒直径值，包括：
3.根据权利要求2所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述根据所述晶棒直径值和所述坩埚内直径值计算埚升补偿值，包括：
4.根据权利要求2所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述根据所述偏差百分比计算埚升偏差补偿值，包括：
5.根据权利要求1所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述分...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述获取晶棒直径值，包括：
3.根据权利要求2所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述根据所述晶棒直径值和所述坩埚内直径值计算埚升补偿值，包括：
4.根据权利要求2所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述根据所述偏差百分比计算埚升偏差补偿值，包括：
5.根据权利要求1所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的单晶硅的生产控制方法，其特征在于，所述分别将各所述待比对图片的所述重点比对区域执行比对操作，得...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯，莫磊，张国宏，陈亮亮，康斌，李殿喜，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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