热屏及单晶炉热场制造技术

本技术公开了一种热屏及单晶炉热场，热屏包括主体段及与主体段相连的改性段，改性段包括底板和与底板相连的圆弧部，沿热屏的高度方向，改性段的高度小于或等于主体段的高度；热屏具有内部腔体，改性段包括靠近内部腔体的基体层和远离内部腔体的耐蚀层，耐蚀层用于抵抗单晶炉热场中产生的硅蒸气的侵蚀。本技术实施例中，耐蚀层能够抵抗单晶炉热场中产生的硅蒸气的侵蚀，使得热屏中的改性段不易被硅蒸气腐蚀，从而延缓了改性段的腐蚀速率，进而提高了热屏的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长制造，尤其涉及一种热屏及单晶炉热场。

技术介绍

1、目前，主要采用直拉法在单晶炉中生产单晶硅。单晶炉包括热场，热场包括热屏、石英坩埚、埚帮、加热器、保温筒等。热屏的材质通常采用碳碳复合材料。

2、然而，热场中存在大量的硅蒸气，单晶硅生产过程中热屏易被硅蒸气腐蚀，从而导致热屏的使用寿命较低。

技术实现思路

1、本技术提供一种热屏及单晶炉热场，旨在解决现有技术中热屏易被硅蒸气腐蚀的技术问题。

2、第一方面，本技术实施例提供一种热屏，包括主体段及与所述主体段相连的改性段，所述改性段包括底板和与所述底板相连的圆弧部，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度小于或等于所述主体段的高度；

3、所述热屏具有内部腔体，所述改性段包括靠近所述内部腔体的基体层和远离所述内部腔体的耐蚀层，所述耐蚀层用于抵抗单晶炉热场中产生的硅蒸气的侵蚀。

4、可选地，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度大于或等于所述圆弧部的高度，和/或，所述改性段的高度为110mm-120mm。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热屏，其特征在于，包括主体段及与所述主体段相连的改性段，所述改性段包括底板和与所述底板相连的圆弧部，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度小于或等于所述主体段的高度；

2.根据权利要求1所述的热屏，其特征在于，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度大于或等于所述圆弧部的高度，和/或，所述改性段的高度为110mm-120mm。

3.根据权利要求1所述的热屏，其特征在于，所述改性段的密度为1.8g/cm3-2.6g/cm3，所述改性段的抗弯强度为110MPa-210MPa，所述主体段的密度为0.8g/cm3-1.45g/cm3，所述主体段的抗弯强度为60MPa...

【技术特征摘要】

1.一种热屏，其特征在于，包括主体段及与所述主体段相连的改性段，所述改性段包括底板和与所述底板相连的圆弧部，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度小于或等于所述主体段的高度；

2.根据权利要求1所述的热屏，其特征在于，沿所述热屏的高度方向，所述改性段的高度大于或等于所述圆弧部的高度，和/或，所述改性段的高度为110mm-120mm。

3.根据权利要求1所述的热屏，其特征在于，所述改性段的密度为1.8g/cm3-2.6g/cm3，所述改性段的抗弯强度为110mpa-210mpa，所述主体段的密度为0.8g/cm3-1.45g/cm3，所述主体段的抗弯强度为60mpa-120mpa。

4.根据权利要求1所述的热屏，其特征在于，所述基体层的材质和所述主体段的材质均为碳碳复合材料。

5.根据权利要求4所述的热屏，其特征在于，所述耐蚀层的材质包括碳化硅。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚宏，王洋，李侨，赵领航，杜路路，段滨，张海洋，李鑫港，张婷蕊，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：