【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种拉晶炉的对中测试方法、装置、系统及存储介质。
技术介绍
1、单晶硅棒通常采用切克劳斯基(czochralski)法，又或被称之为直拉法制造。该方法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固体和液体的交界面处，由于熔体温度下降产生由液体转换成固体的相变化。在该方法中，通过将固态的多晶硅硅料放置在拉晶炉的石英坩埚内并对石英坩埚进行加热使其中的多晶硅硅料融化，在直拉单晶硅棒的过程中，首先通过籽晶绳牵引籽晶以使籽晶和熔融硅接触，使得在固液界面处的熔融硅沿着籽晶冷却结晶，并借助籽晶绳缓慢拉出籽晶而生长。缩颈完成之后通过降低籽晶绳的拉速和/或熔体温度来放大晶体生长直径直至达到目标直径。转肩之后，通过控制籽晶绳的拉速和熔体温度使晶体生长进入“等径生长”阶段。最后，通过增大籽晶绳的拉速和提高熔体温度使晶体生长面的直径逐步减小形成尾锥，直至最后晶体离开熔体表面，得到生长完成后的单晶硅棒。
2、为确保单晶硅棒的形状以及控制单晶硅棒的径向杂质分布和缺陷形成，需要在上述过程中通过籽晶绳对晶体施加旋转，即“晶转”。理想状态下，单晶硅棒的中心应与拉晶炉的中心对齐，并且单晶硅棒基于籽晶绳的引导以此中心为圆心进行转动，从而形成完全规则的圆形。但在实际生产过程中，为了达到或接近上述理想状态，需要通过测量以及校准方案以保证籽晶绳与所述拉晶炉的炉室的中心同轴(即籽晶绳与炉室对中)以确保单晶硅棒的中心在旋转或位移过程中始终处于坩埚中心。
技术实现思路
1、本公开提供了一种拉晶炉的对中
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种拉晶炉的对中测试方法，所述方法包括：
4、在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线；
5、在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹；其中，所述吊装治具悬挂于所述籽晶绳下方且所述吊装治具的底部为尖端；
6、根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中。
7、第二方面，本公开提供了一种拉晶炉的对中测试装置，所述装置包括：第一获取部分、第二获取部分和确定部分，其中，
8、所述第一获取部分，被配置成在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线；
9、所述第二获取部分，被配置成在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹；其中，所述吊装治具悬挂于所述籽晶绳下方且所述吊装治具的底部为尖端；
10、所述确定部分，被配置成根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中。
11、第三方面，本公开提供了一种拉晶炉的对中测试系统，所述系统包括：用于模拟晶棒的吊装治具、设置于拉晶炉的炉室壁的激光雷达以及计算设备；其中，
12、所述吊装治具悬挂于所述籽晶绳下方且所述吊装治具的底部为尖端；
13、所述激光雷达，用于在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并采集反射的激光束；以及，在所述吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹；
14、所述计算设备，用于根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线，以及根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中。
15、第四方面，本公开提供了一种计算机存储介质，所述计算机可读存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的拉晶炉的对中测试方法。
16、本公开提供了一种拉晶炉的对中测试方法、装置、系统及存储介质；利用激光雷达获取炉室的中心轴线，并且利用激光雷达获取吊装治具的尖端的旋转轨迹之后，根据吊装治具的尖端的旋转轨迹以及炉室的中心轴线确定籽晶绳与拉晶炉的炉室对中。提供了一种客观的对中测试方案，避免了相关方案中基于人工感官检查所存在的问题，提高对中测试的准确度。
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1.一种拉晶炉的对中测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中，包括：
8.根据权利要求
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述异常位置调节所述籽晶绳所处的位置，包括：
10.一种拉晶炉的对中测试装置，其特征在于，所述装置包括：第一获取部分、第二获取部分和确定部分，其中，
11.一种拉晶炉的对中测试系统，其特征在于，所述系统包括：用于模拟晶棒的吊装治具、设置于拉晶炉的炉室壁的激光雷达以及计算设备；其中，
12.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至9任一项所述拉晶炉的对中测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉的对中测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艺楠，张鹏举，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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