【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种拉晶炉的对中测试方法、装置、系统及存储介质。
技术介绍
1、单晶硅棒通常采用切克劳斯基(czochralski)法，又或被称之为直拉法制造。该方法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固体和液体的交界面处，由于熔体温度下降产生由液体转换成固体的相变化。在该方法中，通过将固态的多晶硅硅料放置在拉晶炉的石英坩埚内并对石英坩埚进行加热使其中的多晶硅硅料融化，在直拉单晶硅棒的过程中，首先通过籽晶绳牵引籽晶以使籽晶和熔融硅接触，使得在固液界面处的熔融硅沿着籽晶冷却结晶，并借助籽晶绳缓慢拉出籽晶而生长。缩颈完成之后通过降低籽晶绳的拉速和/或熔体温度来放大晶体生长直径直至达到目标直径。转肩之后，通过控制籽晶绳的拉速和熔体温度使晶体生长进入“等径生长”阶段。最后，通过增大籽晶绳的拉速和提高熔体温度使晶体生长面的直径逐步减小形成尾锥，直至最后晶体离开熔体表面，得到生长完成后的单晶硅棒。
2、为确保单晶硅棒的形状以及控制单晶硅棒的径向杂质分布和缺陷形成，需要在上述过程中通过籽晶绳对晶体施加旋转，即“晶转”。理想状态下...
【技术保护点】
1.一种拉晶炉的对中测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：>
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉的对中测试方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在拉晶炉的炉室壁，利用激光雷达在拉晶炉的炉室的径向平面发射激光束，并根据采集到的反射激光束获取所述拉晶炉的炉室的中心轴线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在用于模拟晶棒的吊装治具经由籽晶绳旋转过程中，利用所述激光雷达获取所述吊装治具的尖端的旋转轨迹，包括：
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述根据所述吊装治具的尖端的旋转轨迹以及所述炉室的中心轴线确定所述籽晶绳与所述拉晶炉的炉室对中，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：张艺楠，张鹏举，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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