【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生产制造，尤其涉及一种投料装置及投料方法。
技术介绍
1、光伏行业内单晶硅的生产一般采用直拉法，为减少成本，逐步采用连续复投料拉晶工艺。
2、目前，复投料使用的加料器，在复投料过程中，一方面如果坩埚位置放置太远、料块大小不均匀等因素，硅料下降掉入硅液中会造成硅液上涌或溅起，溅起的硅点会粘附在水冷热屏、导流筒表面；另外由于硅料在包装、运输等过程中相互摩擦产生粉末，在硅料快速掉落埚内的过程中，产生的硅粉会向上扬起，掉落在炉脖、导流筒上沿、水冷热屏表面等地方。
3、在单晶生长的等径过程中，这些硅点和硅粉存在掉落的风险，硅点和硅粉掉落后会造成单晶硅原子排列结构发生改变，导致晶体断线。同时，溅硅形成的硅点因粘附导流筒等石墨件表面，其碳粉等杂质也会掉入硅溶液，从而增加单晶硅棒的含碳量，影响了单晶硅棒的质量。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种投料装置及投料方法，旨在解决现有技术中的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供了一种投料装置，包括：
4、投料本体，所述投料本体具有容纳腔，所述容纳腔用于放置硅料；
5、挡料组件，所述挡料组件套设于所述投料本体，所述挡料组件包括挡片，所述挡片用于阻挡硅粉或硅液。
6、在第一方面的其中一个实施例中，所述投料本体还包括：
7、筒体，所述筒体具有所述容纳腔；
8、第一法
9、底盘，所述底盘设置在所述筒体远离所述第一法兰的一端，所述底盘用于打开或关闭所述容纳腔。
10、在第一方面的其中一个实施例中，所述投料本体还包括第二法兰，所述第二法兰围绕所述筒体设置，所述第二法兰位于所述筒体远离所述第一法兰的一端。
11、在第一方面的其中一个实施例中，所述挡料组件包括：
12、支撑部，所述支撑部设置在所述第一法兰背离所述筒体的一侧，所述支撑部架于所述第一法兰上；
13、挡料部，所述挡料部套设于所述筒体，所述挡料部位于所述第一法兰和所述第二法兰之间，所述挡料部包括所述挡片；
14、连接部，所述连接部穿设于支撑部，所述连接部位于所述支撑部和所述挡料部之间，所述连接部用于连接所述支撑部和所述挡料部。
15、在第一方面的其中一个实施例中，所述支撑部包括横板，所述横板设置在所述第一法兰背离所述筒体的一侧，所述连接部穿设于所述横板；
16、所述横板具有第一气道，所述横板靠近所述筒体的一面设置有第一出气口，所述第一气道用于向所述筒体内吹气。
17、在第一方面的其中一个实施例中，所述连接部包括：
18、第一连杆，所述第一连杆依次穿设于所述支撑部和所述筒体，所述第一连杆与所述支撑部连接，所述第一连杆远离所述支撑部的一端与所述底盘连接；
19、第二连杆，所述第二连杆穿设于所述支撑部，所述第二连杆位于所述筒体的外表面，所述第二连杆远离所述支撑部的一端与所述挡料部连接，所第二连杆内具有第二气道，所述第二气道与所述第一气道连通，所述第二气道用于将气体通入所述第一气道中；
20、第三连杆，所述第三连杆穿设于所述支撑部，所述第三连杆位于所述筒体的外表面，所述第三连杆远离所述支撑部的一端与所述挡料部连接，所述第三连杆内设置有第三气道。
21、在第一方面的其中一个实施例中，所述挡料部还包括：
22、第三法兰，所述第三法兰套设于所述筒体上，所述第三法兰位于所述第一法兰和所述第二法兰之间，所述第三法兰可在所述筒体上滑动；
23、所述挡片设置在所述第三法兰与所述第二法兰之间，所述挡片与所述第三法兰可转动连接。
24、在第一方面的其中一个实施例中，所述第三法兰具有第四气道，所述第三气道与所述第四气道连通，所述第三气道用于向所述第四气道通入气体；
25、所述第三法兰背离所述筒体的一面设置有第二出气口，所述第四气道的气体可从所述第二出气口吹出，所述第二出气口用于向所述挡片背离所述第二法兰的一面吹气。
26、在第一方面的其中一个实施例中，所述第三法兰靠近所述挡片的一面为斜面，所述第三法兰用于展开所述挡片。
27、第二方面，本申请实施例提供了一种投料方法，使用上述任一实施例中所述的投料装置，所述投料方法包括：
28、将所述硅料装入所述容纳腔中；
29、下降所述挡料组件，以使所述投料本体靠近石英坩埚的一端打开，所述硅料从所述容纳腔中掉落至所述石英坩埚中；
30、打开所述挡片，以阻挡飞扬的硅粉或飞溅的硅液。
31、相对于现有技术，本申请的有益效果是：本申请提出一种投料装置及投料方法。所述投料装置包括投料本体和挡料组件，所述投料本体具有容纳腔，所述容纳腔用于放置硅料；所述挡料组件套设于所述投料本体，所述挡料组件包括挡片。本申请通过所述挡片将投料本体向主炉室内投放硅料时飞扬的硅粉和飞溅的硅液进行阻挡，避免了硅料中的硅粉向上扬起掉落在单晶炉的炉脖、导流筒上沿或水冷热屏表面等部位，进而避免了单晶炉的炉脖、导流筒上沿或水冷热屏表面等部位上的硅点和硅粉在单晶硅生长的等径过程中掉落的情况，提高了单晶硅棒的生长质量。
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1.一种投料装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的投料装置，其特征在于，所述投料本体还包括：
3.根据权利要求2所述的投料装置，其特征在于，所述投料本体还包括第二法兰，所述第二法兰围绕所述筒体设置，所述第二法兰位于所述筒体远离所述第一法兰的一端。
4.根据权利要求3所述的投料装置，其特征在于，所述挡料组件包括：
5.根据权利要求4所述的投料装置，其特征在于，所述支撑部包括横板，所述横板设置在所述第一法兰背离所述筒体的一侧，所述连接部穿设于所述横板；
6.根据权利要求5所述的投料装置，其特征在于，所述连接部包括：
7.根据权利要求6所述的投料装置，其特征在于，所述挡料部还包括：
8.根据权利要求7所述的投料装置，其特征在于，所述第三法兰具有第四气道，所述第三气道与所述第四气道连通，所述第三气道用于向所述第四气道通入气体；
9.根据权利要求7所述的投料装置，其特征在于，所述第三法兰靠近所述挡片的一面为斜面，所述第三法兰用于展开所述挡片。
10.一种投料方法，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种投料装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的投料装置，其特征在于，所述投料本体还包括：
3.根据权利要求2所述的投料装置，其特征在于，所述投料本体还包括第二法兰，所述第二法兰围绕所述筒体设置，所述第二法兰位于所述筒体远离所述第一法兰的一端。
4.根据权利要求3所述的投料装置，其特征在于，所述挡料组件包括：
5.根据权利要求4所述的投料装置，其特征在于，所述支撑部包括横板，所述横板设置在所述第一法兰背离所述筒体的一侧，所述连接部穿设于所述横板；
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯，莫磊，张国宏，康斌，李殿喜，张德林，周文东，杜明，田栋东，李长营，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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