一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘制造技术

本技术公开了一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，涉及到半导体加工技术领域，包括底座，所述底座的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽，所述底座的顶面于若干放置槽开口处环面均设置有环板，所述底座顶面留设有空白区域；本技术在实际使用过程中，通过在底座顶面设置多个环板，使形成空白区域，因此使本石墨盘的顶面高度不同，在使用时，放置槽开口处的环板可以改善流场，阻挡反应中活跃的镓从空白区域流动到放置槽，从而达到改善功率器件二维电子气中Al组分的均匀性，以获得高质量的外延片。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工，具体为一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘。

技术介绍

1、氮化镓(gan)作为第三代宽带隙半导体材料，具有较宽的直接带隙。gan以其高热导、高电子饱和漂移速度、高击穿电场、较强的抗辐射能力及化学稳定性高等优势在微波器件领域具有很高的应用价值，更有望在航空、高温辐射、雷达、通信、汽车电子等方面发挥重要的作用。

2、传统的外延石墨盘都是在光滑的石墨盘面上根据具体情况开多个圆形槽(pocket)放置晶圆衬底，石墨盘载着衬底在mocvd设备生长外延层，生长过程中因镓特性很活跃，石墨盘高速旋转表面的镓会随气流流动到圆形槽内晶圆衬底，影响长晶品质，有鉴于此，亟需一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题，本技术用以下技术结构解决此问题。

2、为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：

3、一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，包括底座，所述底座的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽；

4、若干所述放置槽的底部均设置有环形的台阶面；

5、所述底座的顶面于若干放置槽开口处环面均设置有环板，所述底座顶面留设有空白区域。

6、其进一步特征在于，

7、若干所述放置槽呈圆周均匀分布。

8、所述放置槽的底部环面形成有台阶面。

9、所述环板的厚度为1毫米。

10、所述放置槽的深度为0.3毫米。

11、所述底座呈圆台状。p>

12、采用本技术上述结构可以达到如下有益效果：

13、在实际使用过程中，通过在底座顶面设置多个环板，使形成空白区域，因此使本石墨盘的顶面高度不同，在使用时，放置槽开口处的环板可以改善流场，阻挡反应中活跃的镓从空白区域流动到放置槽，从而达到改善功率器件二维电子气中al组分的均匀性，以获得高质量的外延片。

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【技术保护点】

1.一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于，包括底座(1)，所述底座(1)的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽(11)；

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：若干所述放置槽(11)呈圆周均匀分布。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：所述放置槽(11)的底部环面形成有台阶面(2)。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：所述环板(3)的厚度为1毫米。

5.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：所述放置槽(11)的深度为0.3毫米。

6.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：所述底座(1)呈圆台状。

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于，包括底座(1)，所述底座(1)的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽(11)；

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：若干所述放置槽(11)呈圆周均匀分布。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，其特征在于：所述放置槽(11)的底部环面...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，张利，王皖南，
申请(专利权)人：福州镓谷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：