【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆加工设备，具体为一种真空吸笔。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
2、晶圆的夹取、移动以及放片大多通过真空吸笔来实现，随着科技不断的进步，晶圆的尺寸也是越来越大。
3、现有技术中，真空吸笔在对大尺寸晶圆进行吸附时，由于真空吸笔的导气管的尺寸无法改变，导致吸附头无法吸附到大尺寸晶圆的中心部位，导致吸附效果较差，很容易在移动晶圆(衬底)时因重力不平衡导掉落地面摔碎，造成损失，并且由于真空吸笔的吸附头无法调节角度，无法对各种角度的晶圆进行吸附，十分不便，有鉴于此，亟需一种真空吸笔。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题，本技术用以下技术结构解决此问题。
2、为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
3、一种真空吸笔，包括真空笔身、导气管、吸附头，所述导气管包括依次滑动套接的第一导气管、第二导气管及第三导气管，所述吸附头安装在第三导气管的悬置端，所述吸附头设置有用于吸附晶圆的吸附孔；
4、所述第一导气管的悬置端设置有球形连接部，所述球形连接部，所述真空笔身的一端设置有球槽，所述球形连接部安装在球槽中，所述球形连接部设置有通孔，所述真空笔身、导气管及吸附头内部贯通，形成吸附晶圆的气路。
5、其进一步特征在于，
6、所述第一导气管
7、所述第一导气管、第二导气管及第三导气管的长度比例为5∶3∶3。
8、所述吸附头为圆饼状，所述吸附头的内部设置有圆饼状内腔。
9、所述吸附孔呈弧形。
10、所述吸附孔设置有两个，两个所述吸附孔的相对设置。
11、所述第一导气管、第二导气管及第三导气管均为金属材质制成。
12、采用本技术上述结构可以达到如下有益效果：
13、三段式的导气管可任意调节伸缩长度，面对大小尺寸的晶圆或样品，均可取放正常、收缩自如，且稳定吸附力强。并且通过球形连接部将导气管与真空笔身连接，使导气管可多方向转动，这样可以吸附不同角度、位置的晶圆，进一步提高了本装置的适用性。通过将吸附头设置为圆饼状，通过开设两个相对的吸附孔，使吸附面积更大，吸附力更强。
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1.一种真空吸笔，其特征在于，包括真空笔身(1)、导气管(2)、吸附头(3)，所述导气管(2)包括依次滑动套接的第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)，所述吸附头(3)安装在第三导气管(23)的悬置端，所述吸附头(3)设置有用于吸附晶圆的吸附孔(31)；
2.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)的外径比例为7∶5∶3，所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)的内径比例为5∶3∶1。
3.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)的长度比例为5∶3∶3。
4.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述吸附头(3)为圆饼状，所述吸附头(3)的内部设置有圆饼状内腔。
5.根据权利要求4所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述吸附孔(31)呈弧形。
6.根据权利要求5所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述吸附孔(31)设置有两个，两个所述吸附孔(31
7.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)均为金属材质制成。
...【技术特征摘要】
1.一种真空吸笔，其特征在于，包括真空笔身(1)、导气管(2)、吸附头(3)，所述导气管(2)包括依次滑动套接的第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)，所述吸附头(3)安装在第三导气管(23)的悬置端，所述吸附头(3)设置有用于吸附晶圆的吸附孔(31)；
2.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)的外径比例为7∶5∶3，所述第一导气管(21)、第二导气管(22)及第三导气管(23)的内径比例为5∶3∶1。
3.根据权利要求1所述的一种真空吸笔，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张利，王皖南，
申请(专利权)人：福州镓谷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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