【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及存储介质。
技术介绍
1、在集成电路制造的过程中，在每个工艺流程中都有可能在晶圆上形成缺陷。随着半导体工艺的发展，半导体器件越来越趋向于小型化，晶圆上的缺陷在半导体工艺中的影响越来越大，因此在集成电路制造的过程中，需要对晶圆进行缺陷检测，并且将存在缺陷的晶圆及时拦截，以防止晶圆在后序的加工过程中发生破片，甚至导致加工设备宕机、备件损坏等现象。
2、当前相关方案采用的自动化的晶圆表面缺陷检测手段，包括：首先通过光学测量机台检测晶圆表面缺陷分布状况；接着基于缺陷分布状况形成缺陷坐标文件，在该缺陷坐标文件包括缺陷处于晶圆表面的坐标；然后利用扫描电子显微镜(scanning electronmicroscope，sem)根据缺陷坐标文件所提供的缺陷处于晶圆表面的坐标逐个确认。
3、在相关方案中，市面上常见的光学测量机台在检测晶圆表面缺陷分布状况时，通常会对待检测晶圆表面进行去边处理，也就是说，光学测量机台无法检测到晶圆完整表面的缺陷分布状况，因此，当前自动化...
【技术保护点】
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待测晶圆表面构建的极坐标系下，获取能够覆盖所述待测晶圆的过渡区域部分和边缘部分的采样区域，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述采样区域中获取检测点，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述检测点的坐标生成模拟缺陷坐标文件，包括：
6.一种晶圆表面缺陷的检测装置，其特征在于，所述装置包括：第一获取...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待测晶圆表面构建的极坐标系下，获取能够覆盖所述待测晶圆的过渡区域部分和边缘部分的采样区域，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述采样区域中获取检测点，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述检测点的坐标生成模拟缺陷坐标文件，包括：
6.一种晶圆表面缺陷的检测装置，其特征在于，所述装置包括：第一获取部分、第二获取部分、生成部分和检测部分，其中，
7.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高坤，马强强，仝临杰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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