【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体测试领域，具体而言，涉及一种砷化镓芯片去层方法。
技术介绍
1、砷化镓(gallium arsenide)，化学式gaas。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在。砷化镓是一种重要的半导体材料。属ⅲ－ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。
2、砷化镓制程的芯片通常都是采用非平坦化工艺，传统的平面研磨法去层会破坏芯片结构；并且砷化镓材料非常脆，也非常容易被酸碱腐蚀，所以采用化学去层的方式难度也比较大。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种砷化镓芯片去层方法，用以更合理的对砷化镓芯片进行去层，对砷化镓层的破坏更小。
2、第一方面，本申请提供一种砷化镓芯片去层方法，包括：
3、确定待去层样品，所述待去层样品包括多个非平坦化工艺制备的多层结构，所述多层结构包括砷化镓层、介质层、金属层以及钝化层；所述钝化层位于所述待去层样品的表面，所述金属层位于所述钝化层下方，所述介质层位于所述金属层下，所述砷化镓
4、采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层；
5、采用金腐蚀液腐蚀所述金属层，去除所述金属层露出所述介质层；
6、采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，得到去层后的样品。
7、在可选的实施方式中，所述采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层，包括：
8、在功率50±5w以及cf4/o2/ar气体条件下进行蚀刻达到第一预设时间，去除所述钝化层露出所述金属层。
9、在可选的实施方式中，所述第一预设时间根据所述钝化层的厚度确定，钝化层的厚度越厚，所述第一预设时间越长。
10、在可选的实施方式中，所述金腐蚀液的成分包括碘、碘化钾以及水。
11、在可选的实施方式中，所述金腐蚀液的成分中碘：碘化钾小于等于1/2。
12、在可选的实施方式中，所述金腐蚀液的成分重量比例为：碘：碘化钾：水＝1:2:200。
13、在可选的实施方式中，采用金腐蚀液腐蚀所述金属层的时间控制在2±0.5分钟。
14、在可选的实施方式中，所述介质层为tan材料；所述采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，包括：
15、在功率50±5w以及cf4/o2/ar气体条件下进行蚀刻达到第二预设时间，去除所述介质层。
16、在可选的实施方式中，所述第二预设时间根据所述介质层的厚度确定，介质层的厚度越厚，所述第二预设时间越长。
17、本申请提供一种砷化镓芯片去层方法。通过确定待去层样品；采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层；采用金腐蚀液腐蚀所述金属层，去除所述金属层露出所述介质层；采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，得到去层后的样品。可以实现采用物理和化学融合的方法对砷化镓芯片进行去层，对砷化镓芯片的去层更合理，对砷化镓层的破坏更小。
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1.一种砷化镓芯片去层方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间根据所述钝化层的厚度确定，钝化层的厚度越厚，所述第一预设时间越长。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金腐蚀液的成分包括碘、碘化钾以及水。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金腐蚀液的成分中碘：碘化钾小于等于1/2。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金腐蚀液的成分重量比例为：碘：碘化钾：水＝1:2:200。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，采用金腐蚀液腐蚀所述金属层的时间控制在2±0.5分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层为TaN材料；所述采用等离子蚀刻技术对所述介质层进行刻蚀，去除所述介质层，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间根据所述介质层的厚度确定，介质
...【技术特征摘要】
1.一种砷化镓芯片去层方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设时间根据所述钝化层的厚度确定，钝化层的厚度越厚，所述第一预设时间越长。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金腐蚀液的成分包括碘、碘化钾以及水。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金腐蚀液的成分中碘：碘化钾小于等于1/2...
【专利技术属性】
技术研发人员：高峰，高强，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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