芯片失效定位方法、电子设备和存储介质技术

本申请提供了一种芯片失效定位方法、电子设备和存储介质，该方法包括：根据衬底失效位置，确定裸芯片的芯片顶面上的顶面失效位置，根据顶面失效位置，在芯片顶面上确定第一刻蚀线和第二刻蚀线，获取采用第一刻蚀线和第二刻蚀线对裸芯片进行刻蚀后得到的芯片衬底图，根据衬底失效位置和顶面失效位置，确定失效位置差，当失效位置差超过预设位置差阈值，则重新确定第一刻蚀线和/或第二刻蚀线，以调整顶面失效位置，直至失效位置差不超过预设位置差阈值，以对裸芯片进行截面切割。本方案可基于高倍率的芯片失效图定位芯片的失效位置，提高了芯片失效位置的定位准确度，防止设备测量误差较大可能导致定位失败而切错截面。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种芯片失效定位方法、电子设备和存储介质。

技术介绍

1、芯片失效分析包括电性故障分析(electrical failure analysis，efa)和物理故障分析(physical failure analysis，pfa)，其中，efa在失效分析中用于定位失效位置，pfa在失效分析中用于对失效位置进行截面切割，以便观察失效原因。

2、目前，往往采用微光显微镜(emission microscope,emmi)设备拍摄芯片失效图并测量图中失效位置到芯片边界的距离，然后采用聚焦离子束(focused ion beam,fib)设备根据失效位置到芯片边界的距离在实际芯片上定位失效位置，以进行截面切割。

3、然而，为了能够观察到芯片边界，只能采用小倍率采集芯片失效图，但小倍率芯片失效图对于fib来说不适用，因此无法定位失效位置，并且emmi设备和fib设备之间的测量误差较大，容易导致芯片的失效位置定位失败。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片失效定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述衬底失效位置，确定裸芯片的芯片顶面上的顶面失效位置，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述距离以及与所述芯片顶面中与所述衬底边界对应的目标顶面边界，在所述芯片顶面上确定所述顶面失效位置之前，还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述顶面失效位置，在所述芯片顶面上确定第一刻蚀线和第二刻蚀线，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片失效图中所述衬底失效位置与所述芯片衬底的衬底...

【技术特征摘要】

1.一种芯片失效定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述衬底失效位置，确定裸芯片的芯片顶面上的顶面失效位置，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述距离以及与所述芯片顶面中与所述衬底边界对应的目标顶面边界，在所述芯片顶面上确定所述顶面失效位置之前，还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述顶面失效位置，在所述芯片顶面上确定第一刻蚀线和第二刻蚀线，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述芯片失效图中所述衬底失效位置与所述芯片衬底的衬底边界之间的距离，包括：

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述芯片失效图为预设微光显微镜采用如下方式得...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旭文，王静，高强，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：