【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，特别涉及一种高压led芯片制备方法及高压led芯片。
技术介绍
1、高压led芯片是指在芯片的制作过程中，将一个大尺寸芯片的外延层通过刻蚀隔离槽的方式分制为多个单颗粒的晶粒，再将相邻晶粒的对应电极串联起来而构成的发光二极管芯片。
2、为了提高生产效率，在制备一些对光电性要求高的高压led芯片时，需要保证隔离槽的刻蚀角度和外观均较佳，为此通常以两次光刻一次刻蚀的方式来形成满足要求的隔离槽，具体地，首先在外延层上涂布一层光刻胶并依次进行曝光显影坚膜，再在第一层光刻胶上涂布一层光刻胶并依次进行曝光显影坚膜，最后进行整体刻蚀，其中两层光刻胶一般采用不同特性的正性高黏胶。
3、但是，一方面由于正性高黏胶的使用成本较高，导致芯片的综合生产成本较高；另一方面如果第一层正性光刻胶中的溶剂挥发得不够彻底或者第一层正性光刻胶烘烤地不够坚硬，在对第二层正性光刻胶进行曝光时，由于两者曝光区域重合，位于曝光区域内的第一层正性光刻胶中显影未去除区域又会被曝光，最终有可能导致隔离槽的形貌特征跟设计要求相差甚远。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种高压led芯片制备方法及高压led芯片，通过在外延片上依次形成包含预设刻蚀图形的正性光刻胶层和负性光刻胶层，并通过控制烘烤光刻胶过程中的温度、加热时间以及曝光光刻胶过程中的曝光剂量，以较低成本获得包含较佳刻蚀角度和外观的隔离槽的外延片。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：p>
3、一方面，本专利技术提供了一种高压led芯片制备方法，包括以下步骤：
4、提供一衬底，在衬底上外延生长外延层，其中，外延层至少包括依次生长的n型半导体层、有源层和p型半导体层；
5、由p型半导体层向衬底方向刻蚀直至暴露n型半导体层，以形成每个晶粒的n型台面和p型台面；
6、在外延层上整体涂布正性光刻胶，并对该层光刻胶依次进行软烤、曝光、显影、第一次硬烤、第二次硬烤，得到包含预设刻蚀图形的第一固化胶层；
7、在第一固化胶层上整体涂布负性光刻胶，并对该层光刻胶依次进行软烤、曝光、坚膜、显影，得到包含预设刻蚀图形的第二固化胶层；
8、以第一固化胶层和第二固化胶层为掩膜，对外延层进行刻蚀；
9、去除第一固化胶层和第二固化胶层，在外延片上得到包含预设形貌特征的隔离槽；
10、在每个晶粒的n型台面和p型台面上制备电极，并在对应隔离槽内制备电极桥，将对应数量的晶粒设为一组，将组内相邻晶粒的不同极性的电极通过电极桥串接。
11、另外，根据本专利技术上述的高压led芯片制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：
12、进一步地，涂布的正性光刻胶的厚度为8μm～12μm。
13、进一步地，对正性光刻胶进行软烤和第一次硬烤均采用热板烘烤，其中烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为100s～180s。
14、进一步地，对正性光刻胶的曝光剂量为750mj/cm2～1450mj/cm2。
15、进一步地，采用烤箱烘烤的方式对正性光刻胶进行第二次硬烤，其中烘烤温度为95℃～115℃，烘烤时间为30min～45min。
16、进一步地，涂布的负性光刻胶的厚度为2.5μm～4.5μm。
17、进一步地，采用热板烘烤的方式对负性光刻胶进行软烤，其中烘烤温度为100℃～120℃，烘烤时间为60s～120s。
18、进一步地，对负性光刻胶的曝光剂量为300mj/cm2～600mj/cm2。
19、进一步地，采用热板烘烤的方式对负性光刻胶进行坚膜，其中烘烤温度为100℃～120℃，烘烤时间为60s～180s。
20、另一发面，基于同一专利技术构思，本专利技术还提供了一种高压led芯片，高压led芯片由前述高压led芯片制备方法制备而成。
21、本专利技术具有以下有益效果：通过采用正性高黏光刻胶和负性低粘光刻胶的双层胶结构，由于负性低粘光刻胶的成本比正性高粘光刻胶低，而且单片衬底所用负性低粘光刻胶的胶量也比现有方案所用正性高黏光刻的胶量低，由此单片衬底的负性低粘光刻胶光刻成本相比现有方案采用的正性高粘光刻胶可以节约较多成本，此外通过对正性高黏光刻胶和负性低粘光刻胶进行多次烘烤，并将烘烤时间和温度控制在较佳范围内，避免了因光刻胶烘烤温度太高时间过长，导致塌胶、胶裂的现象发生，使得隔离槽刻蚀角度变小，导致led芯片发光面积减小，以及隔离槽刻蚀外观异常，同时也避免了因光刻胶烘烤温度太低时间过短，导致光刻胶胶过垂、光刻胶胶中有气泡，使得隔离槽刻蚀角度过大、金属披覆异常，以及隔离槽刻蚀外观异常。
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1.一种高压LED芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，涂布的正性光刻胶的厚度为8μm～12μm。
3.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶进行软烤和第一次硬烤均采用热板烘烤，其中烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为100S～180S。
4.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，对正性光刻胶的曝光剂量为750mJ/cm2～1450mJ/cm2。
5.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，采用烤箱烘烤的方式对所述正性光刻胶进行第二次硬烤，其中烘烤温度为95℃～115℃，烘烤时间为30min～45min。
6.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，涂布的负性光刻胶的厚度为2.5μm～4.5μm。
7.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，采用热板烘烤的方式对所述负性光刻胶进行软烤，其中烘烤温度为100℃～120℃，烘烤时间
8.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，对负性光刻胶的曝光剂量为300mJ/cm2～600mJ/cm2。
9.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，采用热板烘烤的方式对所述负性光刻胶进行坚膜，其中烘烤温度为100℃～120℃，烘烤时间为60S～180S。
10.一种高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片由权利要求1至9任一项所述的高压LED芯片制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种高压led芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，涂布的正性光刻胶的厚度为8μm～12μm。
3.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶进行软烤和第一次硬烤均采用热板烘烤，其中烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为100s～180s。
4.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，对正性光刻胶的曝光剂量为750mj/cm2～1450mj/cm2。
5.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，采用烤箱烘烤的方式对所述正性光刻胶进行第二次硬烤，其中烘烤温度为95℃～115℃，烘烤时间为30min～45min。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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