一种高压LED芯片制备方法及高压LED芯片技术

本发明专利技术公开了一种高压LED芯片制备方法及高压LED芯片，其中芯片制备方法包括：在衬底上外延生长外延层；由P型半导体层向衬底方向刻蚀直至暴露N型半导体层，以形成N型台面和P型台面；在外延层上涂布正性光刻胶并依次进行软烤、曝光、显影、第一次硬烤、第二次硬烤，得到第一固化胶层；在第一固化胶层上涂布负性光刻胶并依次进行软烤、曝光、坚膜、显影，得到第二固化胶层；对外延层进行刻蚀；去除两层胶层，在外延片上得到包含预设形貌特征的隔离槽；在N型台面和P型台面上制备电极，并在对应隔离槽内制备电极桥，将对应数量的晶粒设为一组，将组内相邻晶粒的不同极性的电极通过电极桥串接。本发明专利技术光刻成本低、隔离槽的形貌特征较佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led芯片，特别涉及一种高压led芯片制备方法及高压led芯片。

技术介绍

1、高压led芯片是指在芯片的制作过程中，将一个大尺寸芯片的外延层通过刻蚀隔离槽的方式分制为多个单颗粒的晶粒，再将相邻晶粒的对应电极串联起来而构成的发光二极管芯片。

2、为了提高生产效率，在制备一些对光电性要求高的高压led芯片时，需要保证隔离槽的刻蚀角度和外观均较佳，为此通常以两次光刻一次刻蚀的方式来形成满足要求的隔离槽，具体地，首先在外延层上涂布一层光刻胶并依次进行曝光显影坚膜，再在第一层光刻胶上涂布一层光刻胶并依次进行曝光显影坚膜，最后进行整体刻蚀，其中两层光刻胶一般采用不同特性的正性高黏胶。

3、但是，一方面由于正性高黏胶的使用成本较高，导致芯片的综合生产成本较高；另一方面如果第一层正性光刻胶中的溶剂挥发得不够彻底或者第一层正性光刻胶烘烤地不够坚硬，在对第二层正性光刻胶进行曝光时，由于两者曝光区域重合，位于曝光区域内的第一层正性光刻胶中显影未去除区域又会被曝光，最终有可能导致隔离槽的形貌特征跟设计要求相差甚远。>

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【技术保护点】

1.一种高压LED芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，涂布的正性光刻胶的厚度为8μm～12μm。

3.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶进行软烤和第一次硬烤均采用热板烘烤，其中烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为100S～180S。

4.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，对正性光刻胶的曝光剂量为750mJ/cm2～1450mJ/cm2。

5.根据权利要求1或2所述的高压LED芯片制备方法，其特征在于，采用烤...

【技术特征摘要】

1.一种高压led芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，涂布的正性光刻胶的厚度为8μm～12μm。

3.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶进行软烤和第一次硬烤均采用热板烘烤，其中烘烤温度为90℃～120℃，烘烤时间为100s～180s。

4.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，对正性光刻胶的曝光剂量为750mj/cm2～1450mj/cm2。

5.根据权利要求1或2所述的高压led芯片制备方法，其特征在于，采用烤箱烘烤的方式对所述正性光刻胶进行第二次硬烤，其中烘烤温度为95℃～115℃，烘烤时间为30min～45min。

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：