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本发明公开了一种高压LED芯片制备方法及高压LED芯片，其中芯片制备方法包括：在衬底上外延生长外延层；由P型半导体层向衬底方向刻蚀直至暴露N型半导体层，以形成N型台面和P型台面；在外延层上涂布正性光刻胶并依次进行软烤、曝光、显影、第一次硬烤...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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