一种E频段波导魔T制造技术

本发明专利技术涉及一种E频段波导魔T，属于微波毫米波技术领域。所述屏蔽盒主要由相扣合的上实体和下实体组成；所述上实体设有垂直贯穿的矩形通腔，下实体的上表面设有水平的横槽和竖槽，横槽和竖槽构成T形槽；矩形通腔的底部贯通至横槽和竖槽的相交位置处，且横槽和竖槽相交位置处设有凸台和三级阶梯渐变结构；凸台的前沿抵在横槽的中间位置处，且凸台的两端均向横槽光滑弧形过渡；所述三级阶梯渐变结构连接在凸台的后沿构成T型结构，其中三级阶梯渐变结构沿竖槽延伸；所述三级阶梯渐变结构的前沿两侧向凸台后沿光滑弧形过渡，顺其延伸方向，台阶高度依次减小。本发明专利技术具有易加工、插入损耗小、两输出端口隔离度高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种e频段波导魔t，属于微波毫米波，特别适用于卫星通信微波信道的e频段固态功率放大器。

技术介绍

1、随着卫星通信的蓬勃发展，c、ku和ka等频段资源日趋紧张，卫星通信逐渐向更高频段扩展，e频段(上行频率81-86ghz；下行频率71-76ghz)成为目前卫星通信领域的研究前沿。

2、目前，在e频段受芯片工艺、散热等方面限制，单个固态功率放大器芯片的输出功率有限，为了获得更大的输出功率，必须进行功率合成；为避免功率合成支路间的相互干扰，必须研制高隔离度的功率分配/合成器。波导魔t是一种常用的波导功率分配/合成器，四个端口同时匹配，两个输出端口之间具有较高的隔离度；但e频段标准波导内空间较小，因此用于实现波导魔t端口匹配的常用元件，如锥体、销钉、金属膜片等，加工、装配和调试难度较大，难以保证波导魔t的性能指标。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本专利技术提出一种e频段波导魔t，在e频段(81-86ghz)具有易加工、插入损耗小、两输出端口隔离度高的特点。>

2、本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种E频段波导魔T，包括屏蔽盒；其特征在于，所述屏蔽盒主要由相扣合的上实体和下实体组成；所述上实体设有垂直贯穿的矩形通腔，下实体的上表面设有水平的横槽和竖槽，横槽和竖槽构成T形槽；

2.根据权利要求1所述的一种E频段波导魔T，其特征在于，所述上实体和下实体扣合形成水平方向上的T型槽；其竖槽通道的输入端为E臂波导；横槽分为两个对称的通道，分别为第一侧臂波导和第二侧臂波导；位于上实体的矩形通腔为H臂波导。

3.根据权利要求2所述的一种E频段波导魔T，其特征在于，E臂波导、H臂波导、第一侧臂波导和第二侧臂波导均为标准WR10波导，其波导口尺寸为2.540mm×1.2...

【技术特征摘要】

1.一种e频段波导魔t，包括屏蔽盒；其特征在于，所述屏蔽盒主要由相扣合的上实体和下实体组成；所述上实体设有垂直贯穿的矩形通腔，下实体的上表面设有水平的横槽和竖槽，横槽和竖槽构成t形槽；

2.根据权利要求1所述的一种e频段波导魔t，其特征在于，所述上实体和下实体扣合形成水平方向上的t型槽；其竖槽通道的输入端为e臂波导；横槽分为两个对称的通道，分别为第一侧臂波导和第二侧臂波导；位于上实体的矩形通腔为h臂波导。

3.根据权利要求2所述的一种e频段...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立浩，薛腾，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：