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本申请提供一种砷化镓芯片去层方法。涉及半导体测试技术领域。包括：确定待去层样品；采用等离子蚀刻技术对所述钝化层进行刻蚀，去除所述钝化层露出所述金属层；采用金腐蚀液腐蚀所述金属层，去除所述金属层露出所述介质层；采用等离子蚀刻技术对所述介质层进...
该专利属于上海季丰电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海季丰电子股份有限公司授权不得商用。

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