本技术公开了一种用于半导体外延生长的恒温水浴槽，涉及到半导体加工技术领域，包括恒温水浴槽，所述恒温水浴槽的一侧设置有换热水供水管及换热水出水管，所述换热水供水管及换热水出水管均外接供水系统，所述恒温水浴槽内设置有用于监测恒温水浴槽内水位...

本发明涉及晶体管技术领域，公开了一种增强型氮化镓HEMT和制造方法，其中HEMT包括缓冲层，缓冲层的顶面设有GaN层，GaN层的顶面设有AlN层，AlN层上开设有第一孔，AlN层的顶面和第一孔中设有一体的AlGaN层，AlGaN层的顶面...

本申请涉及一种石墨盘治具，应用在半导体生产设备领域，包括底座，所述底座上设有若干支撑架，所述支撑架上设有支撑块，石墨盘架设在所述支撑块上，所述支撑架在支撑块所在的面上设有与石墨盘的卡扣槽相匹配的凸块，所述凸块插接在石墨盘的卡扣槽内。本申...

本技术公开了一种真空吸笔，涉及到晶圆加工设备技术领域，包括真空笔身、导气管、吸附头，导气管包括依次滑动套接的第一导气管、第二导气管及第三导气管，吸附头安装在第三导气管的悬置端，吸附头设置有用于吸附晶圆的吸附孔，第一导气管的悬置端设置有球...

本技术公开了一种氮化镓功率器件用外延生长石墨盘，涉及到半导体加工技术领域，包括底座，所述底座的顶面开设有若干用于放置晶圆衬底的放置槽，所述底座的顶面于若干放置槽开口处环面均设置有环板，所述底座顶面留设有空白区域；本技术在实际使用过程中，...

本申请涉及一种石墨盘运输推车，应用在石墨盘运输领域，包括固定板，所述固定板上分别设有真空泵和支架，所述支架上设有若干支撑板，若干所述支撑板上分别设有若干真空吸盘，所述真空泵的抽气端通过若干真空吸管与若干真空吸盘相连通，所述固定板背离支架...

本发明涉及晶体管技术领域，公开了一种增强型的氮化镓

本发明涉及GaN器件的掩膜钝化层生长技术领域,公开了一种基于MOCVD的垂直GaN器件的掩膜钝化层生长方法，本发明在制作垂直GaN器件的掩膜钝化层时，可以不用将器件堆从MOCVD反应器中取出，能直接在MOCVD中直接对器件堆进行掩膜钝化...

本发明涉及垂直GaN器件技术领域，公开了一种垂直GaN器件及其制造方法，垂直GaN器件，包括从下往上依次堆叠的u

本发明涉及垂直GaN器件技术领域，公开了一种用于GaN器件的P型接触层制作方法和垂直GaN器件，本发明的方法通过在n

本发明属于半导体器件制造领域，具体涉及一种氮化镓功率器件外延片及其制造方法。本发明氮化镓功率器件外延片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底正面的氮化镓外延层，以及依次设置在蓝宝石衬底背面的应力调控层和保护层，应力调控层的主体结构为GaN材料...

本发明属于半导体器件制造领域，具体涉及一种基于垂直GaN器件形成栅极凹槽的工艺方法。本发明通过将垂直GaN器件置于MOCVD反应器中，对暴露在H2、NH3和三甲基镓气氛下的垂直GaN器件进行刻蚀并实时修复，保证在刻蚀的过程中GaN会同步...