发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件结构，包含：一半导体叠层，包含一凹槽及一平台，其中此凹槽具有一底部，此平台具有一上表面；一第一隔绝层位于此凹槽内及此平台上表面的部分区域；第一电极包含一第一层和一第二层，其中：第一层包含一第一导电材料，位于此平台上表面的部分区域上；及第二层包含一第二导电材料，位于第一层之上。

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201310022242.6，申请日：2013年01月22日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
本专利技术关于一种发光元件，特别是关于一种电极具有第一层与第二层的发光元件。
技术介绍
发光二极管是半导体元件中一种被广泛使用的光源。相较于传统的白炽灯泡或荧光灯管，发光二极管具有省电及使用寿命较长的特性，因此逐渐取代传统光源而应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等产业。随着发光二极管光源的应用与发展对于亮度的需求越来越高，如何增加其发光效率以提高其亮度，便成为产业界所共同努力的重要方向。图9描述了现有的LED封装体30：包括封装结构31、由封装结构31封装的半导体LED晶片32，其中半导体LED晶片32具有一p-n接面33，封装结构31通常是热固性材料，例如环氧树脂(epoxy)，或者热塑胶材料。半导体LED晶片32通过一焊线(wire)34与两导电支架35、36连接。因为环氧树脂(epoxy)在高温中会有劣化(degrading)现象，因此只能在低温环境运作。此外，环氧树脂(epoxy)具很高的热阻(thermalresistance)，使得图9的结构只提供了半导体LED晶片32高阻值的热散逸途径，而限制了LED封装体30的低功耗应用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光元件，可在高温环境运作，且适于低功耗应用。本专利技术提供一发光元件，包含：一半导体叠层，包含一凹槽及一平台，其中凹槽具有一底部，平台具有一上表面；一第一隔绝层位于凹槽内及平台上表面的部分区域；第一电极包含一第一层和一第二层，其中：第一层包含一第一导电材料，位于平台上表面的部分区域上；及第二层包含一第二导电材料，位于第一层之上。本专利技术提供一发光元件，其中形成第一电极第一层的第一导电材料和形成第一电极第二层的第二导电材料不同；第一电极第一层对此发光元件产生光线的反射率大于第一电极第二层对此光线的反射率，且第二层对此光线的反射率大于60％。在本专利技术的发光元件中，发光元件包括半导体叠层、第一隔绝层及第一电极，其中，第一电极包含第一层和第二层，发光元件的性能不受限于现有的LED封装体的封装结构，可在高温环境运作，且适于低功耗应用。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举优选实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1A-图8是本专利技术第一实施例的发光元件的上视图及剖视图；图9是现有的发光元件LED封装体结构图；图10是本专利技术另一实施例的灯泡分解图。具体实施方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图1A-图8及图10的图式。依据本专利技术第一实施例的发光元件的上视图图1A所示：一发光元件包含一基板(图未示)及一半导体叠层；其中半导体叠层包含：一第一导电型半导体层11，及在第一导电型半导体层11之上形成一活性层(图未示)与一第二导电型半导体层12。蚀刻部分第二导电型半导体层12和活性层以裸露出第一导电型半导体层11。图1B为沿AA’横截面线(crosssectionline)切割的剖视图，包含一凹槽及一平台，其中凹槽具有一底部；平台具有一上表面。在本实施例中，平台上表面为第二导电型半导体层12的一表面：凹槽底部裸露出第一导电型半导体层11，且凹槽穿过活性层21。且当发光元件形成后，利用一电压驱动此发光元件，使第一导电型半导体层11提供电子，第二导电型半导体层12提供空穴，电子与空穴于活性层21结合后发出一光线。如图2A、图2B所示，在凹槽底部第一导电型半导体层11之上形成一第二电极13，且此第二电极13与第一导电型半导体层11电连接。如图3A所示，因沿AA’横截面线及BB’横截面线切割的剖面区域其后续结构及制程不同，故分别叙述如下。首先，沿AA’横截面线切割的剖面区域，如图3B所示，形成一第一隔绝层14位于凹槽内及平台上表面的部分区域，且包覆第二电极13。再形成一第一电极第一层15于平台上表面的部分区域上，且和第一隔绝层14彼此分离没有重叠，如图4A、图4B所示。在本实施例中，第一电极第一层15包含一第一导电材料，可例如为金属；其中第一导电材料包含至少一材料选自于银、铂及金所组成的群组，第一电极第一层15厚度为500至5000埃。再形成一第一电极第二层16于第一层15之上，其中第一电极第二层16覆盖第一层15与至少部分第一隔绝层14；如图5A、图5B所示。在本实施例中，第一电极第二层16包含一第二导电材料，可例如为金属；其中第二导电材料包含至少一材料选自于镍、铝、铜、铬及钛所组成的群组。第一电极第二层16厚度为2000埃至1.5μm。在另一实施例中，形成第一层15的第一导电材料和形成第二层16的第二导电材料不同；第一层15对此发光元件所产生光线的反射率大于第二层16对此光线的反射率。第二层16对此光线的反射率较佳大于60％。如图6A、图6B所示，在第一电极第二层16之上形成一第二隔绝层17；第二隔绝层17的间隔区域露出第一电极第二层16的上表面。其中第二隔绝层17区域与第一隔绝层14区域大致上对应。在本实施例中，在发光元件边缘的第二隔绝层17可与第一隔绝层14直接接触。组成第一隔绝层14的材料与组成第二隔绝层17的材料可相同或不同，二者的组成材料可为氧化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆或氧化钛。如图7A、图7B所示，再于第二隔绝层17之上及第二隔绝层17的间隔区域形成一第一电极垫18；此第一电极垫18与第一电极第一层15和第二层16电连接。其次，图3C所示为沿图3A的BB’横截面线切割的剖面区域，形成一第一隔绝层14位于凹槽内及平台上表面的部分区域。在本实施例中第二电极13部分上表面没有被第一隔绝层14覆盖的区域形成一通道20。再形成一第一电极第一层15于平台上表面的部分区域上，且和第一隔绝层14彼此分离没有重叠，如图4A、图4C所示。在本实施例中，第一电极第一层15包含一第一导电材料，可例如为金属；其中第一导电材料包含至少一材料选自于银、铂及金所组成的群组。第一电极第一层15厚度为500至5000埃。再形成一第一电极第二层16于第一层15之上，其中第一电极第二层16覆盖第一层15与至少部分第一隔绝层14，如图5A、图5C所示。在本实施例中，第一电极第一层15及第一电极第二层16包覆凹槽。第一电极第二层16包含一第二导电材料，可例如为金属；其中第二导电材料包含至少一材料选自于镍、铝、铜、铬及钛所组成的群组。第一电极第二层16厚度为2000埃至1.5μm。在另一实施例中，形成第一层15的第一导电材料和形成第二层16的第二导电材料不同；第一层15对此发光元件所产生光线的反射率大于第二层16对此光线的反射率。第二层16对此光线的反射率较佳地大于60％。如图6A、图6C所示，在第一电极第二层16之上及多个第一隔绝层14之上形成一第二隔绝层17。其中第二隔绝层17部份区域与第一隔绝层14直接接触。组成第一隔绝层14的材料与组成第二隔绝层17的材料可相同或不同，二者的组成材料可为氧化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆或氧化钛。如图7A、图7C所示，再于第二隔绝层17本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含一第一导电型半导体层，一活性层，一第二导电型半导体层，一凹槽及一平台，其中该凹槽穿过该活性层，该凹槽具有一底部露出该第一导电型半导体层，该平台具有一上表面，该上表面为该第二导电型半导体层的一表面；第一电极，包含一第一层和一第二层，其中该第一层包含一第一导电材料，位于该平台的该上表面上，且该第二层包含一第二导电材料，其中该第一电极的该第二层覆盖该第一电极的该第一层与该凹槽；第二电极，位于该凹槽的该底部；第一隔绝层，位于该凹槽，且位于该平台的该上表面的一部分上；第一电极垫，位于该第一隔绝层上，并与该第一电极电连接；以及第二电极垫，位于该第二电极上，并与该第二电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含一第一导电型半导体层，一活性层，一第二导电型半导体层，一凹槽及一平台，其中该凹槽穿过该活性层，该凹槽具有一底部露出该第一导电型半导体层，该平台具有一上表面，该上表面为该第二导电型半导体层的一表面；第一电极，包含一第一层和一第二层，其中该第一层包含一第一导电材料，位于该平台的该上表面上，且该第二层包含一第二导电材料，其中该第一电极的该第二层覆盖该第一电极的该第一层与该凹槽；第二电极，位于该凹槽的该底部；第一隔绝层，位于该凹槽，且位于该平台的该上表面的一部分上；第一电极垫，位于该第一隔绝层上，并与该第一电极电连接；以及第二电极垫，位于该第二电极上，并与该第二电极电连接。2.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含一第一导电型半导体层，一活性层，一第二导电型半导体层，一凹槽及一平台，其中该凹槽穿过该活性层，该凹槽具有一底部露出该第一导电型半导体层，该凹槽环绕该第二导电型半导体层且位于该发光元件之一边缘，该平台具有一上表面，该上表面为该第二导电型半导体层的一表面；第一电极，包含一第一层和一第二层，其中该第一层包含一第一导电材料，位于该平台的该上表面上，且该第二层包含一第二导电材料，其中该第一电极的该第二层覆盖该第一电极的该第一层；第二电极，位于该凹槽的该底部，其中该第二电极包含多个彼此分离的条形电极；第一隔绝层，位于该凹槽，且位于该平台的该上表面的一部分上，其中该第一隔绝层包含多个通道以分别裸露该第二电极之该多个条形电极；第一电极垫，位于该第一隔绝层上，并接触该第一电极；以及第二电极垫，位于该第一电极与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏哲，沈建赋，陈昭兴，杨於铮，王佳琨，林植南，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71