The invention discloses an LED flip chip packaging device structure and its preparation method, including: phosphor layer; chip luminous layer; chip electrode metal layer; substrate electrode metal layer and conductive pore structure; substrate insulation layer and support structure. The metal layer 2 of the chip electrode is a metal structure containing Au and Ni, and the metal layer and conductive pore structure 3 of the substrate electrode are a metal structure containing Cu metal layer or a combination of Cu and other metals. The packaging device of the LED flip chip can solve the problem that the CSP pad electrode of the small size LED flip chip is too small to be precisely controlled and mounted. At the same time, the difference of thermal expansion coefficient between the chip related to solder paste welding and the structure of the commonly used packaging bracket is avoided. The packaging device of the LED flip chip can be used for secondary reflow. Art, the reliability of use has been greatly improved, the production process is simple and feasible, and the cost is lower than that of the prior process.
【技术实现步骤摘要】
一种LED倒装芯片封装器件结构及制备方法
本专利技术涉及一种LED封装器件结构及其制备方法,尤其是一种LED倒装芯片封装器件结构及其制备方法。
技术介绍
LED正装芯片普及多年,其性价比的优势获得了主流市场的青睐。然而,LED倒装芯片相比于正装芯片更有优势,包括更好的散热路径、大电流驱动下更高的光效、更低的免焊线封装成本等等。目前,市面上开发的基于普通锡膏焊料焊接的LED倒装芯片封装方式以集成型的COB为主,如图1所示。由于芯片1与基板2热膨胀系数差异等因素,使用普通焊料焊接倒装芯片的分立式SMD封装器件基本没有成熟的商品问世。此外,传统的CSP器件虽然属于一种倒装芯片的分立式封装器件,如图2所示,但只能适用于具有大电极2的中大尺寸芯片1的制作,采用现有工艺制作的小芯片CSP产品由于焊盘太小满足不了当前产线的贴装精度要求。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足,本专利技术提供一种LED倒装芯片封装器件结构及其制备方法。本专利技术解决该技术问题所采用的技术方案是:一种LED倒装芯片封装器件结构及其制备方法。其中,所述一种LED倒装芯片封装器件结构,包括:荧光粉层;芯片发光层;芯片电极金属层;基板电极金属层和导电孔结构;基板绝缘层和支撑结构;其中:所述基板绝缘层和支撑结构为绝缘材料板,所述绝缘材料板为BT、PMMA或陶瓷材料。于绝缘材料板双面敷设有铜箔;贯穿绝缘材料板及铜箔设有若干个通孔,通孔数目视乎芯片个数或最终切割情况而定。于双面铜箔表面各敷设一层导电铜箔层,上下导电铜箔层之间通过在通孔内的铜连接镀层连接从而实现上、下导电铜箔层的电连接,上述上、下导电铜箔层与 ...
【技术保护点】
1.一种LED倒装芯片封装器件结构,其特征在于,由荧光粉层、芯片发光层、芯片电极金属层、基板电极金属层和导电孔结构、基板绝缘层和支撑结构组成;其中:所述基板绝缘层和支撑结构为绝缘材料板,于绝缘材料板双面敷设有铜箔;贯穿绝缘材料板及铜箔设有多个通孔;于双面铜箔表面各敷设一层导电铜箔层,在通孔内设有实现上、下导电铜箔层电连接的铜连接镀层,上、下导电铜箔层与铜连接镀层形成基板电极金属层和导电孔结构;于基板电极金属层和导电孔结构上设置芯片电极金属层;在芯片电极金属层上电连接设有发光芯片,发光芯片形成芯片发光层;在芯片发光层上设置荧光粉层。
【技术特征摘要】
1.一种LED倒装芯片封装器件结构,其特征在于,由荧光粉层、芯片发光层、芯片电极金属层、基板电极金属层和导电孔结构、基板绝缘层和支撑结构组成;其中:所述基板绝缘层和支撑结构为绝缘材料板,于绝缘材料板双面敷设有铜箔;贯穿绝缘材料板及铜箔设有多个通孔;于双面铜箔表面各敷设一层导电铜箔层,在通孔内设有实现上、下导电铜箔层电连接的铜连接镀层,上、下导电铜箔层与铜连接镀层形成基板电极金属层和导电孔结构;于基板电极金属层和导电孔结构上设置芯片电极金属层;在芯片电极金属层上电连接设有发光芯片,发光芯片形成芯片发光层;在芯片发光层上设置荧光粉层。2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片封装器件结构,其特征在于,所述芯片电极金属层为含Au和Ni的金属结构,其中内层为Ni金属层,外层为Au金属层。3.根据权利要求1或2所述的一种LED倒装芯片封装器件结构,其特征在于,所述绝缘材料板为BT、PMMA或陶瓷材料的板材。4.一种LED倒装芯片封装器件结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在倒装芯片的电极面金属介质上依次进行蒸镀、溅镀、然后化学镀或电镀Ni层、最后覆盖一层Au金属层;(2).制备复合基板,其流程下:A、准备好基板绝缘层并在基板绝缘层的双面覆铜箔形成基材,基板绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴懿平,区燕杰,李林,
申请(专利权)人:珠海市一芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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