一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明专利技术还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明专利技术有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法
本专利技术涉及LED芯片
，尤其是涉及一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法。
技术介绍
常规结构的AlGaInP四元系红光LED芯片的光提取效率很低，只有10％左右，主要的原因是：(1)GaAs衬底对可见光有吸收作用，使得有源层射向衬底的光线和上表面反射下来的光线完全被衬底吸收；(2)芯片出光层是高折射率材料，在出光面上存在全反射损耗和菲涅尔损耗。为提高LED芯片的光提取效率，利用晶片键合的衬底剥离技术，并结合制作P面全方位反射镜(ODR)及N面粗化工艺这三种工艺，可使得制备的AlGaInP薄膜型LED芯片光效为传统常规正装结构芯片的3～4倍。目前业界常见的高效的AlGaInP薄膜LED芯片的ODR结构，是通过在SiO2介质层上制作周期小孔结构，在此基础上蒸镀例如AuBe或AuZn合金的高光反射金属层来实现的。图1所示为常规AlGalnPLED芯片的第一电极结构示意图，所述常规第一电极结构100包括：第一电极接触层101、低折射率介质层102、高光反射金属层103，所述第一电极接触层101、低折射率介质层102、高光反射金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极；所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，所述高光反射金属层与所述低折射率介质层接触，所述低折射率介质层与所述第一电极接触层接触，所述第一电极接触层与所述发光层接触，所述低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的导电小孔结构，第二电极正下方对应的低折射率介质层区域不制备导电小孔结构。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于：所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极；所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，所述高光反射金属层与所述低折射率介质层接触，所述低折射率介质层与所述第一电极接触层接触，所述第一电极接触层与所述发光层接触，所述低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的导电小孔结构，第二电极正下方对应的低折射率介质层区域不制备导电小孔结构。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO2、SiNx或SiON任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述高光反射金属层为Ag、Au金属单层，或者为NiAg、NiAu、AuBe或AuZn合金任意一种或多种，厚度为1nm-1000nm。4.一种垂直结构LED芯片的反射电极，其特征在于：所述反射电极由第一电极和第二电极共同构成；所述第一电极包括第一电极接触层、低折射率介质层、高光反射金属层，所述高光反射金属层与所述低折射率介质层接触，所述低折射率介质层与所述第一电极接触层接触，所述低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的导电小孔结构，第二电极正下方对应的低折射率介质层区域不制备导电小孔结构。5.根据权利要求4所述的反射电极，其特征在于：所述低折射率介质层为SiO2、SiNx或SiON任意一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈芳，王光绪，刘军林，李树强，吴小明，杨梦琳，郭醒，江风益，
申请(专利权)人：南昌大学，南昌黄绿照明有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36