【技术实现步骤摘要】
图像传感器及制造图像传感器的方法
本公开涉及半导体
，具体来说，涉及一种图像传感器及制造图像传感器的方法。
技术介绍
CMOS图像传感器中通常会形成沟槽隔离结构(包括深沟槽隔离(DTI)结构和浅沟槽隔离(STI)结构等)。因此，存在对新技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及制造图像传感器的方法。根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。根据本公开的第二方面，提供了一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的沟槽中形成沟槽隔离结构，包括依次形成沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层和半导体材料层，以使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。通过以下参照附...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构的外层部分到所述沟槽隔离结构的内层部分形成半导体‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑半导体的结构。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构的外层部分到所述沟槽隔离结构的内层部分形成半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体的结构。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底包括一个或多个区域，所述区域为所述沟槽隔离结构使得所述半导体衬底中的空穴在所述沟槽隔离结构的周围聚集而形成的。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述区域位于所述沟槽隔离结构的周围并被所述沟槽隔离结构覆盖，其中，所述区域中的空穴的密度高于所述半导体衬底的位于所述区域周围的部分中的空穴的密度。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构为第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构从所述半导体衬底的第一表面向所述半导体衬底的第二表面延伸，其中所述第二表面为与所述第一表面相对的表面，所述图像传感器还包括：第二沟槽隔离结构，其与第一沟槽隔离结构在与图像传感...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔晓彤，钟伟明，金子贵昭，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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