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本公开涉及一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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