图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体基板；设置于所述半导体基板内的光电二极管和浮动扩散区；传输栅，位于所述半导体基板上，用于控制光电二极管中产生的光电子的读出；电荷传输通道，连接所述光电二极管和浮动扩散区，传输栅关闭时，用于将光电二极管中产生的饱和电流传输至浮动扩散区。所述图像传感器在所述光电二极管和浮动扩散区之间设置电荷传输通道，不仅能避免现有技术中饱和电流产生的技术缺陷，而且还相当于提高了光电二极管的全阱电容。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号，电信号可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。现有技术中，图像传感器通常包括以二维矩阵的形状布置的多个像素。所述每个像素包含光电二极管，所述光电二极管响应于入射光而产生光电荷，且利用光电荷输出来输出像素信号。然而，当图像传感器暴露于强光时，光电二极管中会产生过量的光电荷，这些过量的光电荷可能会“溢出”或迁移到相邻的光电二极管中。这些过量“溢出”的光电荷被称为饱和电流(bloomingcurrent)。若通过光电荷输出将所述的可能会“溢出”或迁移的光电荷导出，则实际上降低了所述光电二极管的全阱电容。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是针对现有的图像传感器结构需要将光电二极管中过量产生的光电荷导出的缺陷，提供一种新的图像传感器结构，提高所述光电二极管的全阱电容并且提供更好的“溢出”性能。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体基板；设置于所述半导体基板内的光电二极管和浮动扩散区；传输栅，位于所述半导体基板上，用于控制光电二极管中产生的光电子的读出；电荷传输通道，连接所述光电二极管和浮动扩散区，在传输栅关闭时，用于将光电二极管中产生的饱和电流传输至浮动扩散区。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体基板；设置于所述半导体基板内的光电二极管和浮动扩散区；传输栅，位于所述半导体基板上，用于控制光电二极管中产生的光电子的读出；电荷传输通道，连接所述光电二极管和浮动扩散区，在传输栅关闭时，用于将光电二极管中产生的饱和电流传输至浮动扩散区。2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述的光电二极管、浮动扩散区和电荷传输通道的掺杂类型相同。3.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述的光电二极管、浮动扩散区和电荷传输通道的掺杂类型与半导体基板的掺杂类型相反。4.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，包括一个以上的光电二极管，其中，两个或者四个光电二极管共用一个浮动扩散区。5.如权利要求4所述图像传感器，其特征在于，共用一个浮动扩散区的两个或者四个光电二极管具有同样的像...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤達也，王亮，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32