图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底上形成无定型碳层；在所述无定型碳层形成露出所述半导体衬底的凹槽，所述凹槽定义出隔离结构的位置和尺寸；在所述凹槽内填满隔离结构材料；去除所述无定型碳层，露出分立排列的隔离结构；在所述隔离结构之间形成滤色片和微透镜。本发明专利技术技术方案可以简化图像传感器的隔离结构的形成工艺。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号，接着电信号可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。图像传感器通常有两种类型，电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CIS)。CCD称为光电耦合器件，通过光电效应收集电荷，每行像素的电荷随时钟信号被送到模拟位移寄存器上，然后串行转换为电压。CIS是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD(电荷耦合)图像传感器更具优势，也更易普及。现有的CMOS图像传感器主要包括前照式(FSI，Front-sideIllumination，简称)CMOS图像传感器和背照式(BSI，Back-sideIllumination)CMOS图像传感器两种。其中，在背照式图像传感器中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底上形成无定型碳层；在所述无定型碳层形成露出所述半导体衬底的凹槽，所述凹槽定义出隔离结构的位置和尺寸；在所述凹槽内填满隔离结构材料；去除所述无定型碳层，露出分立排列的隔离结构；在所述隔离结构之间形成滤色片和微透镜。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底上形成无定型碳层；在所述无定型碳层形成露出所述半导体衬底的凹槽，所述凹槽定义出隔离结构的位置和尺寸；在所述凹槽内填满隔离结构材料；去除所述无定型碳层，露出分立排列的隔离结构；在所述隔离结构之间形成滤色片和微透镜。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述无定型碳层采用化学气相沉积工艺。3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽采用刻蚀工艺或灰化工艺。4.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，去除所述无定型碳层采用刻蚀工艺或灰化工艺。5.如权利要求3或4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺采用的气体是O3。6.如权利要求3或4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺的温度范围为大于或等于100℃。7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离结构材...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙海凤，李天慧，黄增智，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32