一种CIS芯片封装方法及结构技术

本发明专利技术提供一种CIS芯片封装方法及结构，所述方法至少包括：首先提供待封装的CIS芯片，所述CIS芯片包括中间器件区和外围焊垫区；然后刻蚀所述中间器件区的衬底背面形成多个沟槽，在所述沟槽中及所述衬底背面填充绝缘材料层；接着从所述外围焊垫区的衬底背面进行刻蚀以形成开口，暴露出所述外围焊垫区中金属互连结构的底层金属层；最后形成金属引线层，所述绝缘材料层背向衬底正面的表面的一部分以及所述开口的侧壁和底部被所述金属引线层覆盖；在所述绝缘材料层背向衬底正面的表面上的金属引线层上设置焊球。通过本发明专利技术提供的封装方法，可以有效改善CIS产品的背部膜应力，从而降低芯片的失效风险，并且封装工艺过程简单，封装成本低，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种CIS芯片封装方法及结构
本专利技术涉及半导体封装工艺
，特别是涉及一种CIS芯片封装方法及结构。
技术介绍
图像传感器在民用和商业范畴内得到了广泛的应用。目前，图像传感器通常分为CMOS图像传感器(CMOSImageSenser，CIS)和电荷耦合图像传感器(Charge-coupledDevice，CCD)。CCD与CIS相比来说，功耗较高、集成难度较大，而后者功耗低、易集成且分辨率较高。目前，主流的图像传感器(ImageSensor)芯片封装技术包括：COB(ChipsOnBoard)和CSP(ChipScalePackaging)。其中CSP是指芯片尺寸封装和芯片核心尺寸基本相同的芯片封装技术，CSP内核面积与封装面积的比例约为1:1.1，凡是符合这一标准的封装都可以称之为CSP。这样的封装形式大大提高了印刷电路板(PCB)上的集成度，减小了电子器件的体积和重量，提高了产品的性能。CIS产品普遍采用CSP的封装工艺。通常，其工艺流程是：首先将晶圆背面减薄、划片形成多个独立的芯片(die)，然后将芯片正面的焊垫(pad)通过引线键合至芯片背面具有一定排布的焊球，因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIS芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法至少包括：提供待封装的CIS芯片，所述CIS芯片包括中间器件区和外围焊垫区；刻蚀所述中间器件区的衬底背面形成多个沟槽，在所述沟槽中及所述衬底背面填充绝缘材料层；从所述外围焊垫区的衬底背面进行刻蚀以形成开口，所述开口暴露出所述外围焊垫区中金属互连结构的底层金属层；形成金属引线层，所述绝缘材料层背向衬底正面的表面的一部分，以及所述开口的侧壁和底部被所述金属引线层覆盖；在所述绝缘材料层背向衬底正面的表面上的金属引线层上设置焊球。

【技术特征摘要】
1.一种CIS芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法至少包括：提供待封装的CIS芯片，所述CIS芯片包括中间器件区和外围焊垫区；刻蚀所述中间器件区的衬底背面形成多个沟槽，在所述沟槽中及所述衬底背面填充绝缘材料层；从所述外围焊垫区的衬底背面进行刻蚀以形成开口，所述开口暴露出所述外围焊垫区中金属互连结构的底层金属层；形成金属引线层，所述绝缘材料层背向衬底正面的表面的一部分，以及所述开口的侧壁和底部被所述金属引线层覆盖；在所述绝缘材料层背向衬底正面的表面上的金属引线层上设置焊球。2.根据权利要求1所述的CIS芯片封装方法，其特征在于：所述CIS芯片的中间器件区至少包括中间区衬底和形成在所述中间区衬底正面的CIS器件结构；所述CIS芯片的外围焊垫区至少包括外围区衬底和形成在所述外围区衬底正面的所述金属互连结构；所述金属互连结构的顶层金属层为焊垫。3.根据权利要求2所述的CIS芯片封装方法，其特征在于：所述沟槽形成在所述中间区衬底的背面，所述沟槽的深度小于所述中间区衬底的厚度。4.根据权利要求1所述的CIS芯片封装方法，其特征在于：所述绝缘材料层为二氧化硅或者氧化树脂。5.根据权利要求1所述的CIS芯片封装方法，其特征在于：形成所述金属引线层之前，在所述开口的侧壁形成绝缘层，所述开口内的金属引线层覆盖在所述绝缘层上。6.根据权利要求1所述的CIS芯片封装方法，其特征在于：所述绝缘材料层背向衬底正面的表面上的金属引线层具有图案化结构；形成所述金属引线层之后，在获得的结构表面制作保护层，并刻蚀所述保护层暴露出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡媛，吴静銮，郭伟，卢盈，张良，陈雪银，田金华，李成良，韩姣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31