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本发明提供一种CIS芯片封装方法及结构，所述方法至少包括：首先提供待封装的CIS芯片，所述CIS芯片包括中间器件区和外围焊垫区；然后刻蚀所述中间器件区的衬底背面形成多个沟槽，在所述沟槽中及所述衬底背面填充绝缘材料层；接着从所述外围焊垫区的衬...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。