光电转换阵列基板及光电转换装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种光电转换阵列基板及光电转换装置，所述光电转换阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的薄膜晶体管，包括栅极、设置于栅极上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的有源层及位于有源层上的源极和漏极；位于衬底基板上的光电检测单元，包括位于衬底基板上的信号输出电极、光敏层和透光电极，信号输出电极与漏极电连接；源极和漏极上覆盖有第一保护层，在第一保护层上设有遮光层，遮光层在衬底基板上的正投影至少覆盖住有源层在衬底基板上的正投影。本实用新型专利技术提供的光电转换阵列基板及光电转换装置可改善元器件TFT开关电路光感特性，减小漏电流，提高光电检测的成像精度，避免成像时造成误判。

【技术实现步骤摘要】
光电转换阵列基板及光电转换装置
本技术涉及光电
，尤其涉及一种光电转换阵列基板及光电转换装置。
技术介绍
X射线检测广泛应用于医疗、安全、无损检测、科研等领域，在国计民生中日益发挥着重要作用。目前，比较常见的X射线检测技术是20世纪90年代末出现的X射线数字照相(X-RayDigitalRadiography，XDR)检测技术。XRD传感器技术对成像精度要求很高，微弱的漏电流就会影响成像质量，造成误判。目前XRD传感器的光电转换阵列基板包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)开关及光电检测单元，光电检测单元包括透明电极、信号输出电极及位于透光电极和信号输出电极之间的光敏层，在X射线照射下，光敏层中闪烁体层与荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号，薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。现有的光电转换阵列基板中，元器件TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)开关对光照影响敏感，而XRD传感器就是通过光照改变光电检测单元的电流，进而进行积分成像，因此，光照影响TFT开关产生的漏电流会影响光电检测单元，进而影像成像精度。在现有技术中，通过在薄膜晶体管上方设置遮光层，来对薄膜晶体管进行遮光，防止光照影响TFT开关而产生漏电流，但是，现有技术中，遮光层与薄膜晶体管之间距离较远，遮光效果不佳。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种光电转换阵列基板及光电转换装置，可有效改善元器件TFT开关电路光感特性，减小漏电流，进而提高光电检测的成像精度，避免成像时造成误判。本技术所提供的技术方案如下：一种光电转换阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的有源层及位于所述有源层上的源极和漏极；及，位于所述衬底基板上的光电检测单元，所述光电检测单元包括位于所述衬底基板上的信号输出电极、位于所述信号输出电极上的光敏层、及位于所述光敏层上的透光电极，所述信号输出电极与所述漏极电连接；所述源极和所述漏极上覆盖有第一保护层，在所述第一保护层上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖住所述有源层在所述衬底基板上的正投影。进一步的，所述信号输出电极不透光，且所述信号输出电极与所述遮光层为同层且同材料设置。进一步的，所述信号输出电极与所述遮光层连为一体结构。进一步的，所述第一保护层的一部分覆盖于所述源极和所述漏极上，并在与所述漏极对应的位置设置第一过孔；所述第一保护层的另一部分覆盖于所述栅极绝缘层上，所述光电检测单元设置在所述第一保护层的覆盖于所述栅极绝缘层的部分上，且所述信号输出电极通过所述第一过孔与所述漏极电连接。进一步的，所述光电检测单元和所述薄膜晶体管上还覆盖有平坦层；所述平坦层上覆盖有第二保护层；所述光电转换阵列基板上还设置有信号线，所述信号线设置于所述第二保护层上，所述平坦层与所述第二保护层在与所述光电检测单元的透明电极对应的位置设置第二过孔，所述信号线通过所述第二过孔与所述透光电极电连接。进一步的，所述第二保护层上还设有覆盖所述信号线的第三保护层。进一步的，所述光敏层包括：将X射线光子转换为可见光的闪烁体层和荧光体层；及，用于将经所述闪烁体层和荧光体层转换后的可见光转换为电信号的光电二极管。一种光电转换装置，包括如上所述的光电转换阵列基板。本技术所带来的有益效果如下：上述方案，通过在薄膜晶体管的源极和漏极上方的第一保护层上方设置遮光层，遮光层与薄膜晶体管之间的距离较短，遮光效果好，可有效改善光照条件下薄膜晶体管产生漏电流的现象，从而提高光电转换阵列基板上的光电检测单元检测精度。附图说明图1表示现有技术中的光电转换阵列基板的结构示意图；图2表示本技术实施例所提供的光电转换阵列基板的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在对本技术所提供的光电转换阵列基板进行详细说明之前，有必要对现有技术中的光电转换阵列基板进行说明。图1所示为现有技术中的光电转换阵列基板的结构示意图。如图1所示，现有技术中光电转换阵列基板的光电检测单元中，包括信号输出电极1、透光电极2及位于透光电极2和信号输出电极1之间的光敏层3，信号输出电极1仅与薄膜晶体管的漏极4电连接，但是并未覆盖薄膜晶体管的有源层5，通过在薄膜晶体管上方的平坦层6、保护层7等各膜层之上单独设置遮光层8，来对薄膜晶体管进行遮光，但是，这样，一方面需要单独设置遮光层，另一方面遮光层与薄膜晶体管之间的距离较远，光照条件下，会存在遮光效果不佳的问题。针对现有技术中光电传感器的光电转换阵列基板上薄膜晶体管在光照条件下容易产生漏电流，而导致光电传感器的检测精度不良的问题，本技术实施例提供了一种光电转换阵列基板、显示面板及显示装置，有效改善元器件TFT开关电路光感特性，减小漏电流，进而提高光电检测的成像精度，避免成像时造成误判。图2所示为现有技术中的光电转换阵列基板的结构示意图。如图2所示，本技术实施例提供的光电转换阵列基板，包括：衬底基板100；位于所述衬底基板100上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极201、设置于所述栅极201上的栅极绝缘层202、设置于所述栅极绝缘层202上的有源层203及位于所述有源层203上的源极204和漏极205；及，位于所述衬底基板100上的光电检测单元，所述光电检测单元包括位于所述衬底基板100上的信号输出电极301、位于所述信号输出电极301上的光敏层302、及位于所述光敏层302上的透光电极303，所述信号输出电极301与所述漏极205电连接；所述源极204和所述漏极205上覆盖有第一保护层400，在所述第一保护层400上设有遮光层500，所述遮光层500在所述衬底基板100上的正投影至少覆盖住所述有源层203在所述衬底基板100上的正投影。上述方案，通过在薄膜晶体管的源极204和漏极205上方的第一保护层400上方直接设置遮光层500，使得遮光层500与薄膜晶体管之间的距离较短，遮光效果好，可有效改善光照条件下薄膜晶体管产生漏电流的现象，从而提高光电转换阵列基板上的光电检测单元检测精度。此外，在本技术所提供的优选实施例中，如图2所示，所述信号输出电极301不透光，且所述信号输出电极301与所述遮光层500为同层且同材料设置。采用上述方案，可以直接在制作所述信号输出电极301时，采用同一次构图工艺来直接形成所述遮光层500，这样，可以简化改善该光电转换阵列基板的膜层设计，避免单独制作遮光层，且可有效改善光照条件下光电转换阵列基板的光电检测精度。当然可以理解的是，在其他实施例中，所述遮光层500也可以是采用其他不透光膜层来形成。此外，优选的，如图2所示，所述信号输出电极301与所述遮光层500连为一体结构。采用上述方案，如图2所示，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的有源层及位于所述有源层上的源极和漏极；及，位于所述衬底基板上的光电检测单元，所述光电检测单元包括位于所述衬底基板上的信号输出电极、位于所述信号输出电极上的光敏层、及位于所述光敏层上的透光电极，所述信号输出电极与所述漏极电连接；其特征在于，所述源极和所述漏极上覆盖有第一保护层，在所述第一保护层上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖住所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种光电转换阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、设置于所述栅极上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的有源层及位于所述有源层上的源极和漏极；及，位于所述衬底基板上的光电检测单元，所述光电检测单元包括位于所述衬底基板上的信号输出电极、位于所述信号输出电极上的光敏层、及位于所述光敏层上的透光电极，所述信号输出电极与所述漏极电连接；其特征在于，所述源极和所述漏极上覆盖有第一保护层，在所述第一保护层上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖住所述有源层在所述衬底基板上的正投影。2.根据权利要求1所述的光电转换阵列基板，其特征在于，所述信号输出电极不透光，且所述信号输出电极与所述遮光层为同层且同材料设置。3.根据权利要求2所述的光电转换阵列基板，其特征在于，所述信号输出电极与所述遮光层连为一体结构。4.根据权利要求2所述的光电转换阵列基板，其特征在于，所述第一保护层的一部分覆盖于所述源极和所述漏极上，并在与所述漏极对应的位置设置第...

【专利技术属性】
技术研发人员：于刚，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11