一种ITO基片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ITO基片，属于导电薄膜技术领域。本实用新型专利技术的ITO基片包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。电荷转移抑制层抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。本实用新型专利技术可广泛应用于各类有机光电器件的制造中。

【技术实现步骤摘要】
一种ITO基片
本技术涉及导电薄膜
，尤其涉及一种ITO基片。
技术介绍
在液晶显示器、电致发光显示器、等离子体显示器、电致变色显示器、太阳能电池、触摸面板、电子纸等中，一般使用透明电极。例如，在有机电致发光器件中，由对置的两层电极及在电极之间设置有机功能层构成，有机功能层中的发光层中产生的光透过电极而被取出到外部。因此，两层电极中的至少一层为透明电极。作为透明电极，一般使用有氧化铟锡(ITO)等的氧化物半导体系的材料，就由ITO等构成的透明电极而言，在沉积有机功能层之前，需要经过清洗步骤，增加了整体器件工艺的复杂度，因此，为了简化工序，现有的免清洗的ITO玻璃上会覆盖一层离型膜，使用之前将离型膜剥离，即用即撕，方便高效，但是这种免清洗的ITO玻璃，表面高功函的ITO电极层与离型膜表面的基团之间会发生电荷转移，造成ITO玻璃的性能降低，进而导致整个器件的性能的下降。
技术实现思路
本技术针对现有技术中的上述问题，提供一种可以防止ITO电极层电荷转移的ITO基片。本技术公开了一种ITO基片，包括依次设置的ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。进一步地，所述ITO电极层为图案化的。进一步地，所述ITO电极层包括第一功能区和第二功能区，所述第一功能区与有机光电器件的发光区对应，所述第二功能区与有机光电器件的非发光区对应，所述电荷转移抑制层设置于第一功能区，所述第二功能区的ITO电极层与离型膜直接接触。进一步地，所述电荷转移抑制层设置在所述ITO电极层上，将所述离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在ITO电极层上，可以直接作为有机光电器件的有机功能层，同一膜层结构在不同制程中实现不同功能，节约了器件制作成本。进一步地，所述电荷转移抑制层设置在离型膜上，剥离所述离型膜时，所述电荷转移抑制层随所述离型膜一同剥离。更进一步地，所述电荷转移抑制层与离型膜之间还设置有粘结层，有利于将电荷转移抑制层剥离。进一步地，所述基板上还设置有对位标记，在基片制作过程中，由于第一功能区与第二功能区的不同设计，需要使用掩模板，在基板上设置对位标记用于实现掩模板与基片的精准对位。更进一步地，所述对位标记与基板组合形成的图案，当基板翻转后，在平面内，将基板沿任意方向平移或旋转任意角度，对位标记与基板组合形成的图案均不能与翻转前重合，以便于分辨基片的基板侧和ITO电极侧。优选地，所述对位标记的数量为一，且与基板组合形成的图形为非轴对称图形。优选地，所述对位标记为的数量为两个以上，且所有对位标记与基板组合形成的图案为非轴对称图案。有益效果：本技术的ITO基片通过在ITO电极层和离型膜之间设置电荷转移抑制层，抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。附图说明图1是本技术的ITO基片的结构图；图2是本技术的实施例二的ITO电极层结构；图3是本技术的实施例二的ITO基片层结构剖面图；图4是本技术的实施例三的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；图5是本技术的实施例四的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；图6是本技术的实施例五的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；图7是本技术的实施例六和实施例七的ITO基片对位标记的示意图；图8是本技术的实施例八的ITO基片绕X轴和Y轴翻转前后的示意图；图9是本技术的实施例九的ITO基片绕X轴和Y轴翻转前后的示意图；图10是本技术的实施例十的ITO基片绕Y轴翻转并逆时针旋转90°前后的示意图；图中，10-基板，101-对位标记，20-ITO电极层，30-电荷转移抑制层，31-粘结层，40-离型膜，50-第一功能区，60-第二功能区。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：实施例一：结合图1说明本实施例，本实施例的ITO基片如图1所示，包括基板10、设置在的基板10上ITO电极层20和设置在ITO电极层20表面的离型膜40，所述ITO电极层20和离型膜40之间还设置有电荷转移抑制层30。实施例二：结合图2和图3说明本实施例，本实施例的ITO基片，如图2所示，包括第一功能区50和第二功能区60，所述第一功能区50与有机光电器件的发光区对应，所述第二功能区60与有机光电器件的非发光区对应，如图3所示，所述电荷转移抑制层30设置于第一功能区50，所述第二功能区60的ITO电极层与离型膜40直接接触，如此设置的原因是：第二功能区60的ITO电极上不会制作有机器件层，并且第二功能区60对ITO的界面要求较低，所以只在第一功能区50的ITO电极层上沉积电荷转移抑制层，第二功能区60的ITO电极层20与离型膜40直接接触。需要说明的是，本实施例中“所述电荷转移抑制层30设置于第一功能区50，所述第二功能区60的ITO电极层与离型膜40直接接触”只是基于实现专利技术目的和节约材料的双重角度考虑的优选技术方案，并非限制电荷转移抑制层不能设置于第一功能区外的其他区域。实施例三：结合图4说明本实施例，本实施例在实施例二的基础上进一步改进，所述第一功能区电荷转移抑制层30设置在ITO电极层20上，如图4所示将离型膜40剥离后，所述电荷转移抑制层30保留在ITO电极层20上，可以直接作为有机光电器件的有机功能层。实施例四：结合图5说明本实施例，本实施例与实施例三的区别之处在于，所述电荷转移抑制层30设置在离型膜40上，如图5所示，剥离所述离型膜40时，所述电荷转移抑制层30随离型膜40一同被剥离。实施例五：结合图6说明本实施例，本实施例的ITO基片，在实施例四的基础上进一步改进，如图6所示，所述电荷转移抑制层30与离型膜40之间还设置有粘结层31，制作有机光电器件前，将电荷转移抑制层30与离型膜40一同被剥离ITO电极层20表面，在电荷转移抑制层30与离型膜40之间设置粘结层31，利于使用时将电荷转移抑制层30剥离。实施例六：如图7所示，本实施例的ITO基片，所述基板10上还设置有对位标记101，在基片制作过程中，由于第一功能区50与第二功能区60的不同设计，需要使用掩模板，在基板10上设置对位标记101用于实现掩模板与基片的精准对位。实施例七：如图7所示，本实施例的ITO基片，所述对位标记101为“十”字形，“十”字形具有一个交点，当基片发生微小的平移时，可以通过交点的位置变化来识别基片的位置变化，如果对位标记为圆形等无交点的图形，基板的微小平移无法被识别，影响对位的精度；所述“十”字形对位标记设置于基板的边角处，如此设置的原因是：边角处距离基片中心较远，在基片旋转角度相同的情况下，对位标记位于边角处的比位于中心位置发生的位移量更大，位置变化更易被捕捉到，另外，对位标记设置于基板的边角处可以避免影响功能区的性能。实施例八：结合图8说明本实施例，如图8所示，本实施例的ITO基片上的所述对位标记为一个“L”字形图案，当基片翻转后，在平面内，将基板沿任意方向平移或旋转任意角度，对位标记与基板组合形成的图案均不能与翻转前重合，因此可以根据对位标记与基板组合形成的图案识本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，其特征在于，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。

【技术特征摘要】
1.一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，其特征在于，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。2.根据权利要求1所述的ITO基片，其特征在于，所述ITO基片包括第一功能区和第二功能区，所述电荷转移抑制层位于所述第一功能区。3.根据权利要求2所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述ITO电极层上，将所述离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在所述ITO电极层上。4.根据权利要求2所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述离型膜上，剥离所述离型膜时，所述电荷转移抑制层随所述离型膜一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁磊，廖良生，梁舰，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32