图像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区域；在所述像素区域的半导体衬底内形成分立排列的光电二极管；在所述半导体衬底上形成滤光层，所述滤光层呈阵列分布，且各滤光层分别与所述光电二极管对应设置；在所述滤光层上形成微透镜，所述微透镜亦呈阵列分布，其中位于像素区域边缘的微透镜的曲率大于位于像素区域中心的微透镜的曲率。本发明专利技术技术方案有效减少了光的串扰。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号，接着电信号可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。图像传感器通常为两种类型，电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CIS)。CCD称为光电耦合器件，通过光电效应收集电荷，每行像素的电荷随时钟信号被送到模拟位移寄存器上，然后串行转换为电压。CIS是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD(电荷耦合)图像传感器更具优势，也更易普及。现有的CMOS图像传感器主要包括前照式(Front-sideIllumination，简称FSI)CMOS图像传感器和背照式(Back-sideIllumination，简称BSI)CMOS图像传感器两种。其中，在背照式图像传感器中，光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区域；在所述像素区域的半导体衬底内形成分立排列的光电二极管；在所述半导体衬底上形成滤光层，所述滤光层呈阵列分布，且各滤光层分别与所述光电二极管对应设置；在所述滤光层上形成微透镜，所述微透镜亦呈阵列分布，其中位于像素区域边缘的微透镜的曲率大于位于像素区域中心的微透镜的曲率。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区域；在所述像素区域的半导体衬底内形成分立排列的光电二极管；在所述半导体衬底上形成滤光层，所述滤光层呈阵列分布，且各滤光层分别与所述光电二极管对应设置；在所述滤光层上形成微透镜，所述微透镜亦呈阵列分布，其中位于像素区域边缘的微透镜的曲率大于位于像素区域中心的微透镜的曲率。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，从所述像素区域中心至所述像素区域边缘，微透镜的曲率逐渐增大。3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述滤光层之前，还包括步骤：在所述半导体衬底表面形成介质层；在所述介质层上形成隔离结构，所述隔离结构用于间隔所述滤光层。4.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离结构为金属栅格或SiO2栅格。5.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离结构之后，形成所述滤光层之前，还包括步骤：在所述隔离结构侧壁及顶部形成保护层。6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，应用灰度掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟俊生，李志伟，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32