背照式图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。所述背照式图像传感器包括：衬底，所述衬底上具有呈矩阵排列的多个像素区域；所述像素区域具有沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底上的第一感光层、第一绝缘层、第二感光层；所述第一感光层用于吸收第一光信号，并将其转换为第一电信号；所述第一绝缘层用于电性隔离所述第一感光层与所述第二感光层；所述第二感光层用于吸收与所述第一光信号具有不同波长的第二光信号，并将其转换为第二电信号。本发明专利技术无需设置滤光片，简化了背照式图像传感器的制造工艺，降低了背照式图像传感器的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。
技术介绍
所谓图像传感器，是指将光信号转换为电信号的装置。按照其依据的原理不同，可以区分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器以及CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件)图像传感器。由于CMOS图像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将图像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS图像传感器具有更广的应用前景。按照接收光线的位置的不同，CMOS图像传感器可以分为前照式图像传感器和背照式(BackSideIllumination，BSI)图像传感器。其中，与前照式图像传感器相比，背照式图像传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元件入射光路调转方向，让光线能从背面直射进去，避免了在前照式图像传感器中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的结构和厚度的影响，提高了光线接收的效能。CMOS背照式图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有呈矩阵排列的多个像素区域；所述像素区域具有沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底上的第一感光层、第一绝缘层、第二感光层；所述第一感光层用于吸收第一光信号，并将其转换为第一电信号；所述第一绝缘层用于电性隔离所述第一感光层与所述第二感光层；所述第二感光层用于吸收与所述第一光信号具有不同波长的第二光信号，并将其转换为第二电信号。

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有呈矩阵排列的多个像素区域；所述像素区域具有沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底上的第一感光层、第一绝缘层、第二感光层；所述第一感光层用于吸收第一光信号，并将其转换为第一电信号；所述第一绝缘层用于电性隔离所述第一感光层与所述第二感光层；所述第二感光层用于吸收与所述第一光信号具有不同波长的第二光信号，并将其转换为第二电信号。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一光信号的波长大于所述第二光信号的波长；所述衬底包括层叠设置的支撑衬底和器件衬底；沿所述支撑衬底指向所述器件衬底的方向，所述第一感光层、所述第一绝缘层、所述第二感光层依次层叠设置于所述器件衬底背离所述支撑衬底的表面。3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述像素区域还包括：第一存储区，设置于所述器件衬底中；第一传输通道，同时连接所述第一存储区与所述第一感光层，用于将所述第一电信号传输至所述第一存储区；第二存储区，设置于所述器件衬底中；第二传输通道，同时连接所述第二存储区与所述第二感光层，用于将所述第二电信号传输至所述第二存储区。4.根据权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一感光层包括层叠设置的第一P-型硅层和第一N-型硅层；所述第二感光层包括层叠设置的第二P-型硅层和第二N-型硅层；所述第一绝缘层设置于所述第一N-型硅层与所述第二P-型硅层之间。5.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述像素区域还包括沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述第二感光层表面的第二绝缘层、第三感光层；所述第二绝缘层用于电性隔离所述第二感光层与所述第三感光层；所述第三感光层用于吸收第三光信号，并将其转换为第三电信号，且所述第二光信号的波长大于所述第三光信号的波长。6.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；形成第一感光层于所述衬底上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，熊建锋，薛超，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32