图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种图像传感器及其制造方法。根据本公开的一个示例性实施例的图像传感器包括：第一像素单元，其中所述第一像素单元包括：由第一半导体材料构成的第一光电二极管；和至少部分由第二半导体材料构成的第二光电二极管，与第一光电二极管在水平方向上并排布置；其中第二半导体材料对入射光的光电转换效率比第一半导体材料高；其中所述第一像素单元被配置为通过合并第一和第二光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生第一相位检测对焦信号。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法
本公开涉及图像传感器领域。
技术介绍
相位检测自动对焦(PDAF)是一种目前流行的自动对焦方法。在PDAF技术中，根据光线经过用于PDAF的像素(简称为PDAF像素)后获得的相位差信息，判断出当前镜头位置的离焦程度，从而得到镜头应该移动的方向和距离。PDAF像素对光的灵敏度是决定图像传感器的自动对焦效果的至为重要的参数。因此，存在对于提高PDAF像素的灵敏度的新的技术的需求。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器结构及相应的制造方法。根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，其包括：第一像素单元，其中所述第一像素单元包括：由第一半导体材料构成的第一光电二极管；和至少部分由第二半导体材料构成的第二光电二极管，与第一光电二极管在水平方向上并排布置；其中第二半导体材料对入射光的光电转换效率比第一半导体材料高；其中所述第一像素单元被配置为通过合并第一和第二光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生第一相位检测对焦信号。根据本公开的第二方面，提供了一种用于制造图像传感器的方法，其包括：形成第一像素单元，其中形成第一像素单元包括：在由第一半导体材料构成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一像素单元，其中所述第一像素单元包括：由第一半导体材料构成的第一光电二极管；和至少部分由第二半导体材料构成的第二光电二极管，与第一光电二极管在水平方向上并排布置；其中第二半导体材料对入射光的光电转换效率比第一半导体材料高；其中所述第一像素单元被配置为通过合并第一和第二光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生第一相位检测对焦信号。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一像素单元，其中所述第一像素单元包括：由第一半导体材料构成的第一光电二极管；和至少部分由第二半导体材料构成的第二光电二极管，与第一光电二极管在水平方向上并排布置；其中第二半导体材料对入射光的光电转换效率比第一半导体材料高；其中所述第一像素单元被配置为通过合并第一和第二光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生第一相位检测对焦信号。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一像素单元还包括：第一微透镜，位于所述第一像素单元的光入射一侧的最外部；和第一遮光层，在到所述第一像素单元的入射光的光路上位于第一和第二光电二极管之前，所述第一遮光层在平面图中不与第一和第二光电二极管重叠，或者与所述第一光电二极管的一部分重叠。3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括第二像素单元，所述第二像素单元包括：由所述第一半导体材料构成的第三光电二极管；至少部分由所述第二半导体材料构成的第四光电二极管，与第三光电二极管在水平方向上并排布置；第二微透镜，位于所述第二像素单元的光入射一侧的最外部；和第二遮光层，在到所述第二像素单元的入射光的光路上位于第三和第四光电二极管之前，所述第二遮光层在平面图中不与第三和第四光电二极管重叠，或者与所述第三光电二极管的一部分重叠；其中所述第一遮光层在第一像素单元中的位置与第二遮光层在第二像素单元中的位置不同，以及其中所述第二像素单元被配置为通过合并第三和第四光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生第二相位检测对焦信号，所述第二相位检测对焦信号与第一相位检测对焦信号一起用来确定对焦状态。4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：第二像素单元，与所述第一像素单元相邻布置；和由第一和第二像素单元共用的微透镜，位于第一和第二像素单元的光入射一侧的最外部，其中所述第二像素单元包括：由所述第一半导体材料构成的第三光电二极管；至少部分由所述第二半导体材料构成的第四光电二极管，与第三光电二极管在水平方向上并排布置；其中所述第二像素单元被配置为通过合并第三和第四光电二极管对入射光进行光电转换的结果来产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄增智，倪凌云，李天慧，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32