BSI图像传感器及其形成方法技术

一种BSI图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆内具有多个图像传感器器件，相邻的图像传感器器件之间具有切割区域，且所述器件晶圆的正面具有第一键合层，所述承载晶圆的正面具有第二键合层；对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽，和/或，对所述第二键合层进行刻蚀以得到多个第二沟槽；将所述器件晶圆的正面以及所述承载晶圆的正面键合。本发明专利技术方案可以减少键合层中的空洞，提高BSI图像传感器的品质。

【技术实现步骤摘要】
BSI图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种BSI图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。以后照式(Back-sideIllumination，BSI)CIS为例，在现有的制造工艺中，先形成器件晶圆，所述器件晶圆内形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后对承载晶圆的正面与所述器件晶圆的正面进行键合，进而对器件晶圆的背部进行减薄，进而在器件晶圆的背面形成CIS的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成网格状的格栅(Grid)，在所述格栅之间的网格内形成滤光镜(Filter)矩阵等。在现有的对承载晶圆的正面与所述器件晶圆的正面进行键合的工艺中，在器件晶圆正面和承载晶圆的正面均沉积一层氧化层，然后通过对氧化层进行激活，在界面处生成Si-O-H的结构，在后续进行退火的过程中，两片晶圆之间形成Si-O键，并通过Si-O键固定在一起。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆内具有多个图像传感器器件，相邻的图像传感器器件之间具有切割区域，且所述器件晶圆的正面具有第一键合层，所述承载晶圆的正面具有第二键合层；对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽，和/或，对所述第二键合层进行刻蚀以得到多个第二沟槽；将所述器件晶圆的正面以及所述承载晶圆的正面键合。

【技术特征摘要】
1.一种BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆内具有多个图像传感器器件，相邻的图像传感器器件之间具有切割区域，且所述器件晶圆的正面具有第一键合层，所述承载晶圆的正面具有第二键合层；对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽，和/或，对所述第二键合层进行刻蚀以得到多个第二沟槽；将所述器件晶圆的正面以及所述承载晶圆的正面键合。2.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，所述多个第一沟槽交错成网格状，和/或，所述多个第二沟槽交错成网格状。3.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一键合层包括第一氧化物层，对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽包括：在所述第一氧化物层的表面形成图形化的第一掩膜板；根据所述第一掩膜板对所述第一氧化物层进行刻蚀，以得到多个第一沟槽。4.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一键合层包括第一氧化物层和氮化物层的叠层，对所述切割区域内的第一键合层进行刻蚀以得到多个第一沟槽包括：在所述第一氧化物层的表面形成图形化的第二掩膜板；以所述氮化物层作为停止层，根据所述第二掩膜板对所述第一氧化物层进行刻蚀，以得到多个第一沟槽。5.根据权利要求3或4所述的BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一氧化物层的材料选自：SiO2、SiOC以及SiON。6.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘西域，孟宪宇，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32