图像传感器及其制造方法以及电子装置制造方法及图纸

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及电子装置。一种图像传感器包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区；形成在所述衬底中的有源像素区；以及形成在所述黑色像素区与所述有源像素区之间的缓冲区，在所述缓冲区中形成有辐射吸收区，所述辐射吸收区对经过所述衬底传播到所述辐射吸收区的辐射中的至少一部分辐射的吸收能力高于所述衬底对所述至少一部分辐射的吸收能力。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法以及电子装置
本公开涉及图像传感器领域及其制造方法以及电子装置。
技术介绍
图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线等)进行感测，从而生成对应的电信号(图像)。它被广泛地应用在数码相机、移动通信终端、安保设施和其他成像设备中。在图像传感器(例如，CMOS图像传感器(CIS)产品)中，暗电流是不可避免的，并且是一个主要性能参数。为了准确地对辐射进行感测，在图像传感器中设置黑色像素辐射感测元件以测量暗电流的大小，以便尽可能去除暗电流对图像传感器的影响。然而，在现有技术中，黑色像素辐射感测元件会受到来自图像传感器的外部的杂散辐射的影响，从而对暗电流测量带来了干扰。因此，需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的一个或多个问题。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区；形成在所述衬底中的有源像素区；以及形成在所述黑色像素区与所述有源像素区之间的缓冲区，在所述缓冲区中形成有辐射吸收区，所述辐射吸收区对经过所述衬底传播到所述辐射吸收区的辐射中的至少一部分辐射的吸收能力高于所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区；形成在所述衬底中的有源像素区；以及形成在所述黑色像素区与所述有源像素区之间的缓冲区，在所述缓冲区中形成有辐射吸收区，所述辐射吸收区对经过所述衬底传播到所述辐射吸收区的辐射中的至少一部分辐射的吸收能力高于所述衬底对所述至少一部分辐射的吸收能力。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区；形成在所述衬底中的有源像素区；以及形成在所述黑色像素区与所述有源像素区之间的缓冲区，在所述缓冲区中形成有辐射吸收区，所述辐射吸收区对经过所述衬底传播到所述辐射吸收区的辐射中的至少一部分辐射的吸收能力高于所述衬底对所述至少一部分辐射的吸收能力。2.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区；形成在所述衬底中的有源像素区；以及形成在所述黑色像素区与所述有源像素区之间的缓冲区，在所述缓冲区中形成有半导体材料的辐射吸收区，所述辐射吸收区的半导体材料的带隙宽度比所述衬底的半导体材料的带隙宽度窄。3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件，以及所述有源像素区包含有源像素辐射感测元件。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述辐射吸收区至少减少传播...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳阳，汤茂亮，刘少东，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32