CMOS-TDI图像传感器及其形成方法技术

一种CMOS‑TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS‑TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个第一掺杂区。利用所述CMOS‑TDI图像传感器能够提高电荷传输效率，改善图像质量。

【技术实现步骤摘要】
CMOS-TDI图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法。
技术介绍
时间延时积分(TimeDelayIntegration，TDI)图像传感器是线性图像传感器的一种演变。时间延时积分图像传感器的成像机理为对拍摄物体所经过的像素逐行进行曝光，将曝光结构累加，从而解决高速运动物体曝光时间不足所引起的成像信号弱问题。时间延时积分图像传感器能够增加有效曝光时间，提高图像信噪比。时间延时积分图像传感器分为CCD和CMOS两种，然而，由于CCD工艺的特殊性，无法在图像传感器上集成其他处理电路，通用性和灵活性较差。另外一种TDI图像传感器为CMOS类型，该TDI图像传感器基于通用CMOS制造工艺，每个像素对应一个电荷转移区，转移至该区的电荷经过一个电荷放大模块转化为电压信号。传感器阵列逐行曝光速度与物体行进速度一致，每行像素输出一个电压信号。所有M行输出电压信号累加，对于M级TDI图像传感器，信号提升M倍，但电压域噪声也随之提升。然而，现有的CMOS-TDI图像传感器的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种CMOS-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS‑TDI图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个所述第一掺杂区。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个所述第一掺杂区。2.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每一个像素区内若干个第一掺杂区沿第一方向排布；在所述第一方向上，所述第一掺杂区的尺寸为1微米～10微米。3.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，相邻第一掺杂区边缘之间的最小距离为0.5微米～1.5微米。4.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区的深度为：0.1微米～3微米。5.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每一个像素区内所述第一掺杂区的个数为2个～50个。6.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每个像素区内第一栅极结构的个数为2个～4个。7.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一栅极结构包括：位于所述像素区基底表面的第一栅介质层和位于第一栅介质层表面的第一电极层；所述第一栅介质层的材料包括氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，黄金德，
申请(专利权)人：昆山锐芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32