光阀式掩膜板制造技术

本揭示提供了一种光阀式掩膜板。光阀式掩膜板包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极以及光阀介质。第二基板与第一基板相对设置。第一电极设置于第一基板的下表面上。第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极。第二电极设置于第二基板的上表面上。第二电极与第一电极相对设置。光阀介质设置于第一电极与第二电极之间。本揭示能通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极，调整像素尺寸及控制分辨率，适用于各种具有不同像素设计的电子产品。

Light valve mask

This disclosure provides a light valve mask. The light valve mask comprises a first substrate, a second substrate, a first electrode, a second electrode and a light valve medium. The second substrate is relative to the first substrate. The first electrode is arranged on the lower surface of the first substrate. The first electrode includes at least one first sub-electrode with transmission, at least one second sub-electrode with transmission and at least one third sub-electrode without transmission. The second electrode is arranged on the upper surface of the second substrate. The second electrode is relative to the first electrode. The light valve medium is arranged between the first electrode and the second electrode. This disclosure can adjust the pixel size and control the resolution through at least one first sub-electrode with transmittance, at least one second sub-electrode with transmittance and at least one third sub-electrode without transmittance, and is suitable for various electronic products with different pixel designs.

【技术实现步骤摘要】
光阀式掩膜板
本揭示涉及掩膜曝光技术，特别涉及一种光阀式掩膜板。
技术介绍
用于光刻技术的现有的掩膜板的开孔区域(子像素)分布、分辨率等均固定，对应不同设计、不同分辨率的产品需要多套掩膜板，因此现有的掩膜板的使用数量较多且无法调整像素尺寸及控制分辨率。故，有需要提供一种光阀式掩膜板，以解决现有技术存在的问题，能调整像素尺寸及控制分辨率，适用于各种具有不同像素设计的电子产品。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本揭示的一种目的在于提供一种一种光阀式掩膜板，其能通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极，调整像素尺寸及控制分辨率，适用于各种具有不同像素设计的电子产品。为达成上述目的，本揭示提供一光阀式掩膜板包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极以及光阀介质。所述第二基板与所述第一基板相对设置。所述第一电极设置于所述第一基板的下表面上。所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极。所述第二电极设置于所述第二基板的上表面上。所述第二电极与所述第一电极相对设置。所述光阀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光阀式掩膜板，其特征在于，所述光阀式掩膜板包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置；第一电极，设置于所述第一基板的下表面上，所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极；第二电极，设置于所述第二基板的上表面上，所述第二电极与所述第一电极相对设置；以及光阀介质，设置于所述第一电极与所述第二电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种光阀式掩膜板，其特征在于，所述光阀式掩膜板包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置；第一电极，设置于所述第一基板的下表面上，所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极；第二电极，设置于所述第二基板的上表面上，所述第二电极与所述第一电极相对设置；以及光阀介质，设置于所述第一电极与所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，对所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极施加电压以使所述至少一第一子电极和所述至少一第二子电极具有透射性，对所述至少一第三子电极不施加电压以使所述至少一第三子电极不具有透射性。3.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第三子电极设置于所述至少一第一子电极和至少一第二子电极之间。4.根据权利要求1所述的光阀式掩膜板，其特征在于，所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积与所述至少一第二子电极构成的第二像...

【专利技术属性】
技术研发人员：沐俊应，李相烨，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42