一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构制造技术

本发明专利技术属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明专利技术通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

【技术实现步骤摘要】
一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本专利技术属于电动汽车晶体管
，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。
技术介绍
随着电动汽车等行业的快速发展，对绝缘栅双极形晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称IGBT或MOSFET)提出了更高的挑战，其中之一就是要求功率容量不断增大，即意味着IGBT的单位电流密度尽可能高。为达到该目的，一种很有效的措施为将其芯片元胞尺寸一再缩小，以提高其电流密度，现今一些先进的技术可以将IGBT元胞尺寸缩小到0.8um,电流密度可以达到380A/cm2。然而元胞尺寸继续缩小则受到了实际工艺能力、工艺设计规则的限制，其中最关键的一项即受到IGBT发射极孔或MOSFET源极孔本身的工艺尺寸及其到trench沟槽的设计规则限制，使得IGBT或MOSFET元胞尺寸的继续缩小变得极为困难甚至不可行。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足，本专利技术提供一种基于沟槽或复合沟槽，缩小IGBT或MOSFET元胞尺寸，提高电流密度、降低成本的电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距为0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。

【技术特征摘要】
1.一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构，其特征在于：包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距为0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。2.根据权利要求1所述的一种电动汽车用IG...

【专利技术属性】
技术研发人员：井亚会，戚丽娜，俞义长，张景超，林茂，刘利峰，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32