The invention provides a semiconductor device and a forming method thereof. The semiconductor device comprises a first doping region and a storage unit. The first doping region has two second doping wells, the first doping region and the second doping well form a zener diode structure, and the two second doping wells and the first doping region erase the storage unit by erasing. Write the memory unit to adjust the breakdown voltage of the Zener diode structure. In the semiconductor device and its forming method provided by the present invention, by doping a Zener diode structure in the first doping region to form a second doping well and forming a storage unit in the first doping region, the erasing operation of the storage unit can be realized by two said second doping wells and said first doping region, thus the electrons stored in the storage unit can be obtained. The resulting electric field environment adjusts the breakdown voltage of the Zener diode, thus achieving convenient and effective adjustment of the breakdown voltage of the Zener diode.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及集成电路
,特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
齐纳二极管(ZenerDiode)又称之为稳压二极管,可利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。此类二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件,在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。在实际应用中,可能需要运用到不同击穿电压的齐纳二极管,因此,如何提供一种具有可调击穿电压的齐纳二极管结构的半导体器件是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其形成方法,以形成一种可调节击穿电压的齐纳二极管结构。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体器件,所述半导体器件包括第一掺杂区域和存储单元,所述第一掺杂区域中具有两个第二掺杂阱,所述第一掺杂区域与所述第二掺杂阱形成齐纳二极管结构,所述存储单元位于所述第一掺杂区域上且位于两个所述第二掺杂阱之间,两个所述第二掺杂阱与所述第一掺杂区域擦写所述存储单元,通过擦写所述存储单元调整齐纳二极管结构的击穿电压。可选的,在所述半导体器件中,所述存储单元为浮栅型存储单元。可选的,在所述半导体器件中,所述第一掺杂区域为N型掺杂或P型掺杂,与之对应的所述第二掺杂阱为P型掺杂或N型掺杂。可选的,在所述半导 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:第一掺杂区域,所述第一掺杂区域中具有两个第二掺杂阱,所述第一掺杂区域与所述第二掺杂阱形成齐纳二极管结构;存储单元,所述存储单元位于所述第一掺杂区域上且位于两个所述第二掺杂阱之间,两个所述第二掺杂阱与所述第一掺杂区域擦写所述存储单元,通过擦写所述存储单元调整齐纳二极管结构的击穿电压。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,所述半导体器件包括:第一掺杂区域,所述第一掺杂区域中具有两个第二掺杂阱,所述第一掺杂区域与所述第二掺杂阱形成齐纳二极管结构;存储单元,所述存储单元位于所述第一掺杂区域上且位于两个所述第二掺杂阱之间,两个所述第二掺杂阱与所述第一掺杂区域擦写所述存储单元,通过擦写所述存储单元调整齐纳二极管结构的击穿电压。2.根据权利要求1所述半导体器件,其特征在于,所述存储单元为浮栅型存储单元。3.根据权利要求1所述半导体器件,其特征在于,所述第一掺杂区域为N型掺杂或P型掺杂,与之对应的所述第二掺杂阱为P型掺杂或N型掺杂。4.根据权利要求1-3中任意一项所述半导体器件,其特征在于,通过擦写所述存储单元调整齐纳二极管结构的击穿电压在1V以上。5.一种半导体器件的形成方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘宪周,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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