快闪存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种快闪存储器的制造方法，无需增加额外的光罩，也无需刻蚀工艺，可在刻蚀所述存储区的层间介质层之前增加一道对所述层间介质层进行顶面平坦化的工艺，以消除沉积的层间介质层因浅沟槽隔离结构的高度差而产生的凹坑，进而避免了在形成存储区的源线多晶硅层时在外围区上产生源线多晶硅层残留的现象；或者，也可在形成填充于所述开口中的源线多晶硅层之后，增加一道对所述层间介质层进行顶面平坦化的工艺，以使所述存储区、外围区以及所述浅沟槽隔离结构的表面上的所述层间介质层的顶面齐平，由此可以同时去除外围区上的源线多晶硅层残留。

【技术实现步骤摘要】
快闪存储器的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种快闪存储器的制造方法。
技术介绍
目前，快闪存储器(Flashmemory)，又称为闪存，已经成为非挥发性存储器的主流，其存储单元是在传统的MOS晶体管结构基础上，增加了一个浮栅(FloatingGate，FG)和一层隧穿氧化层(TunnelOxide)，并利用浮栅来存储电荷，实现存储内容的非挥发性。同时，目前的快闪存储器还通过浅沟槽隔离技术(STI，ShallowTrenchIsolation)制备隔离区域实现存储单元区、外围电路区的内部及其之间的隔离，以最有效地利用有源区的线宽，提高集成度，请参考图1A，现有技术中一种典型的快闪存储器的制造过程包括：第一步：提供半导体衬底100，在所述半导体衬底100上依次形成浮栅氧化层(FGOxide)101、浮栅多晶硅层(FGploy)102和垫氮化层(Padnitride，未图示)(即FGOX/FGPoly/PADSiNDEP)，依次刻蚀所述垫氮化层、浮栅多晶硅层102、浮栅氧化层101和半导体衬底100，形成浅沟槽(未图示，即STIetch工艺)，以定义出存储区I以及外围区I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层以及浮栅多晶硅层，并刻蚀所述浮栅多晶硅层、浮栅氧化层以及部分厚度的半导体衬底，以形成浅沟槽；形成填充于所述浅沟槽中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体衬底划分为存储区和外围区，且所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述浮栅多晶硅层的顶面；在所述浅沟槽隔离结构和所述浮栅多晶硅层的表面上沉积层间介质层；刻蚀所述存储区的层间介质层、浮栅多晶硅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，以形成开口；在所述开口的内侧壁上形成侧墙，并形成填充于所述开口中的源线多晶硅层；以及，在刻蚀所述存储区的层间介...

【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层以及浮栅多晶硅层，并刻蚀所述浮栅多晶硅层、浮栅氧化层以及部分厚度的半导体衬底，以形成浅沟槽；形成填充于所述浅沟槽中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体衬底划分为存储区和外围区，且所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述浮栅多晶硅层的顶面；在所述浅沟槽隔离结构和所述浮栅多晶硅层的表面上沉积层间介质层；刻蚀所述存储区的层间介质层、浮栅多晶硅层和浮栅氧化层，直至暴露出下方的半导体衬底表面，以形成开口；在所述开口的内侧壁上形成侧墙，并形成填充于所述开口中的源线多晶硅层；以及，在刻蚀所述存储区的层间介质层之前，或者，在形成填充于所述开口中的源线多晶硅层之后，对所述层间介质层进行顶面平坦化，以使所述存储区、外围区以及所述浅沟槽隔离结构的表面上的所述层间介质层的顶面齐平。2.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，形成所述浅沟槽的步骤包括：在所述浮栅多晶硅层的表面上沉积垫氮化层；依次刻蚀所述垫氮化层、浮栅多晶层、浮栅氧化层和部分厚度的半导体衬底，以形成所述浅沟槽。3.如权利要求2所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的步骤包括：在所述浅沟槽表面生长衬氧化层，并在所述浅沟槽中填充满绝缘介质材料；平坦化所述绝缘介质材料的顶面至与所述垫氮化层的顶面齐平，以形成所述浅沟道隔离结构；采用湿法刻蚀工艺去除所述垫氮化层。4.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为光刻胶、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低K介质、超低K介质中一种或几种组合。5.如权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：刻蚀所述层间介质层，直至暴露出所述浮栅多晶硅层的表面，以形成侧墙沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，曹子贵，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31