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本发明提供一种快闪存储器的制造方法，无需增加额外的光罩，也无需刻蚀工艺，可在刻蚀所述存储区的层间介质层之前增加一道对所述层间介质层进行顶面平坦化的工艺，以消除沉积的层间介质层因浅沟槽隔离结构的高度差而产生的凹坑，进而避免了在形成存储区的源线...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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