一种深紫外LED封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及一种深紫外LED封装结构，包括三维支架、LED芯片、半球透镜及密封剂；所述三维支架上设有第一内槽和第二内槽，所述第二内槽开设在所述第一内槽的槽底上，所述半球透镜的平底端面部分抵接在所述第一内槽的槽底上，所述密封剂均匀分布在所述半球透镜与所述第一内槽相抵接的部分上；所述LED芯片均匀分布在所述第二内槽的槽底上。本发明专利技术提供的深紫外LED封装结构通过使用具有台阶结构的三维支架，将密封剂与LED芯片隔离，降低深紫外线对密封剂的照射，并且采用在边缘处点胶密封工艺点涂密封剂，所制备的封装结构不仅具有良好的气密性，还能有效提高深紫外LED的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED封装结构及其封装方法
本专利技术涉及LED照明
，特别是涉及一种深紫外LED封装结构及其封装方法。
技术介绍
近年来，基于AlGaN的深紫外LED由于在空气消毒、水净化、生化检测和光通信领域的潜在应用，引起了人们的关注。然而，深紫外LED的低光提取效率仍然不能满足目前的应用要求，主要原因在于最外层光学透镜与空气之间折射率差异较大，导致界面处部分光线全反射效应较强，不利于深紫外LED出光效率的提升。此外，一些有机聚合物材质的密封剂会因为长期吸收深紫外线而光解变性，导致深紫外LED光源的可靠性变差。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述提到的至少一个问题，提供一种深紫外LED封装结构及其封装方法。一种深紫外LED封装结构，包括三维支架、LED芯片、半球透镜及密封剂；所述三维支架上设有第一内槽和第二内槽，所述第二内槽开设在所述第一内槽的槽底上，所述半球透镜的平底端面部分抵接在所述第一内槽的槽底上，所述密封剂均匀分布在所述半球透镜与所述第一内槽的槽壁之间的间隙内；所述LED芯片设置在所述第二内槽的槽底上。在其中一个实施例中，所述第一内槽和所述第二内槽的横截面形状均为圆形，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于，包括三维支架、LED芯片、半球透镜及密封剂；所述三维支架上设有第一内槽和第二内槽，所述第二内槽开设在所述第一内槽的槽底上，所述半球透镜的平底端面部分抵接在所述第一内槽的槽底上，所述密封剂均匀分布在所述半球透镜与所述第一内槽的槽壁之间的间隙内；所述LED芯片设置在所述第二内槽的槽底上。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于，包括三维支架、LED芯片、半球透镜及密封剂；所述三维支架上设有第一内槽和第二内槽，所述第二内槽开设在所述第一内槽的槽底上，所述半球透镜的平底端面部分抵接在所述第一内槽的槽底上，所述密封剂均匀分布在所述半球透镜与所述第一内槽的槽壁之间的间隙内；所述LED芯片设置在所述第二内槽的槽底上。2.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述第二内槽的横截面中心与所述第一内槽的横截面中心可重合；所述半球透镜的平底端面边沿与所述第一内槽的槽壁之间具有预定尺寸的间隙。3.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述半球透镜的平底端面边沿与所述第二内槽的槽口边沿间隔预定间距。4.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述密封剂选自有机硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂和氟树脂中的一种。5.根据权利要求1所述的深紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁瓅，王昊，许琳琳，陈景文，张骏，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：湖北,42