一种72V高压LED发光器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种72V高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，所述支架上中部设置有底部热沉部分，所述LED高压芯片组通过固晶胶分别固定在支架的底部热沉的两端，所述LED高压芯片组的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述LED高压芯片组外围及支架包覆有封胶。本实用新型专利技术提供的高压LED发光器件，采用若干颗高压18V芯片串联，芯片间使用金线进行连接，提升了单颗LED的功率及亮度，且LED支架底部散热焊盘与芯片底部的散热区域直接连接，导热面积增大，有利于提高导热效率和散热效果，减少LED芯片光衰，延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种72V高压LED发光器件
本技术属于LED封装领域，具体是涉及一种72V高压LED发光器件。
技术介绍
LED作为第四代绿色照明光源，目前已经得到世界各领域范围广泛的应用，LED单颗PN结结构组成的芯片电压为3V/2V左右，且为直流电应用恒流源器件。其中作为激发白光的蓝光芯片单颗3V左右，而目前全球市电均为220V/110V交流电，故在实际应用过程中需采用专门制作的LED转换电源驱动进行点亮。因转换至较低电压时电源体积巨大，在阻容、线性方案电源应用中，需对LED单颗光源做出电路设计提升单串驱动电压以实现驱动与光源匹配。目前封装达成此光源效果方式主要采用外部SMD器件组合线路或内部串联多颗芯片实现，主要采用密集的单颗LED光源串联，成品体积巨大，设计不方便；以上方式无法应用至灯杯、模组等小体积成品产品中，同时多颗串联引起的线阻高、电路失效等情况也大大增加。因此提供一种低热阻、可靠性能好、寿命长、单颗高压的LED发光器件，将会大力迎合市场的需求。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种匹配现有体积小、成本低、效率高线性电源方案相关的LED发光器件，克服现有技术的上述不足之处。本技术通过以下技术方案得以实现。一种72V高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，所述支架上中部设置有底部热沉部分，所述LED高压芯片组通过固晶胶分别固定在支架的底部热沉的两端，所述LED高压芯片组的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述LED高压芯片组外围及支架包覆有封胶。优选的，所述LED高压芯片组包括多个LED高压芯片，各LED高压芯片之间电性连接。优选的，所述支架内层材质红铜，外层材质为PCT材质。优选的，所述导线为金线，所述金线将LED高压芯片的电极与支架电路进行串联式连接。更优选的，所述LED高压芯片正负极分别串联并与支架两端的焊盘用金线进行连接，所述焊盘用金线连接到支架引脚。优选的，所述封胶为硅树脂胶。优选的，所述高压LED发光器件大小长宽为2.8*3.5mm，发光区域面积2.4*3.0mm，厚度0.7mm。更优选的，所述LED高压芯片组包括4颗高压18V芯片，通过串联连接后，可形成单颗72V的高压LED发光器件。本技术的有益效果为：本技术所述的LED发光器件，采用若干颗高压18V芯片串联，芯片间使用金线进行连接，若采用4颗高压18V芯片串联，则单颗LED光源电压为72V左右，提升了单颗LED的功率及亮度，且LED支架底部散热焊盘与芯片底部的散热区域直接连接，导热面积增大，有利于提高导热效率和散热效果，减少LED芯片光衰，延长使用寿命，且本技术采用整体式封装结构，使终端在尽可能小的体积内设计出可供市电驱动的LED灯具，降低了生产成本，提升了产品设计空间。附图说明图1是本技术所述一种72V高压LED发光器件的结构示意图；图2是本技术所述一种72V高压LED发光器件带有完整支架的结构示意图；其中：1-支架、2-LED高压芯片组、3-导线、4-封胶、5-固晶胶、6-焊盘、7-引脚、11-底部热沉部份、12-外层、13-内层、21-LED高压芯片。具体实施方式下面进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。实施例1如图1所述的一种72V高压LED发光器件，包括LED高压芯片组2和长宽为2.8*3.5尺寸的PCT支架1，所述支架1上中部设置有底部热沉部分11，LED高压芯片组2包括4颗LED蓝光高压18V芯片21，LED高压芯片组1通过采用固晶胶5分别固定在支架的底部热沉11的两端，金线中Au≥99.99％，单颗芯片21的正负极分别用金线3串联，并且位于串联两端单颗芯片21连接到对应的焊盘6上，焊盘6再通过金线3连接带支架两端的引脚7，完成电路结构，将4颗18V单颗芯片21进行串联式连接，利用串联电压相加的方式达到单颗72V以上电压的效果，并对支架底部热沉部份11的碗杯内填充并覆盖LED蓝光高压18V芯片21及长期耐温性超过160℃的硅树脂胶4，硅树脂胶4覆盖在LED高压芯片组2外围及支架1上。如图2所述的一种72V高压LED发光器件，4颗LED芯片21两端的正负极分别串联并与载体支架1两端的焊盘6及引脚7进行连接，所述支架1为2835等PAD支架，支架内层13为红铜材质，外层12为PCT材质，用以增加产品耐热性能，所述的LED发光器长宽为2.8*3.5mm，发光区域面积2.4*3.0mm，厚度0.7mm。所述图1或图2的一种72V高压LED发光器件，应用到实际的生产工作中，可与市场现有2835产品焊盘及配件通用，避免了终端市场的二次设计，使用更方便，电压可高达72V以上。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种72V高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，其特征在于：所述支架上中部设置有底部热沉部分，所述LED高压芯片组通过固晶胶分别固定在支架的底部热沉的两端，所述LED高压芯片组的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述LED高压芯片组外围及支架包覆有封胶。

【技术特征摘要】
1.一种72V高压LED发光器件，包括LED高压芯片组和支架，其特征在于：所述支架上中部设置有底部热沉部分，所述LED高压芯片组通过固晶胶分别固定在支架的底部热沉的两端，所述LED高压芯片组的电极与支架通过导线键合构成电路结构，所述LED高压芯片组外围及支架包覆有封胶。2.根据权利要求1所述的高压LED发光器件，其特征在于：所述LED高压芯片组包括多个LED高压芯片，各LED高压芯片之间电性连接。3.根据权利要求1所述的高压LED发光器件，其特征在于：所述支架内层材质红铜，外层材质为PCT材质。4.根据权利要求1所述的高压LED发光器件，其特征在于：所述导线为金线，所述金线将...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠政，
申请(专利权)人：深圳崀途科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44