多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。多栅指电极的电子束光刻方法包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。本发明专利技术能够制备尺寸均匀的多栅指电极，提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。
技术介绍
电子束光刻技术是集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等高新技术于一体的新型技术，是推动微电子和微细加工技术进一步发展的关键技术之一。电子束光刻技术主要适用于0.5微米以下的超微细加工，可以实现数十纳米线条的曝光。多个栅指并联的栅电极能够增大半导体器件管芯的总栅宽，从而提高半导体器件的输出功率。小栅长多栅指电极需要使用电子束光刻制备，但是，由于边缘效应的影响，最外侧的栅指受到的实际曝光剂量小于其他栅指，显影后，导致最外侧栅指的宽度小于其他栅指的宽度，这会导致半导体器件在使用过程中电流分配不均匀，从而产生器件局部过热的问题，严重影响器件的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极，以解决现有技术中多栅指电极的最外侧栅指的宽度小于其他栅指的宽度，导致半导体器件局部过热的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法，包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。

【技术特征摘要】
1.一种多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。2.如权利要求1所述的多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔2微米至10微米。3.如权利要求1所述的多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端通过栅柄图形连接。4.如权利要求1所述的多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，所述虚拟栅指图形的宽度与栅指图形的宽度相同。5.如权利要求1所述的多栅指电极的电子束光刻方法，其特征在于，所述在基片表面涂覆电子束光刻胶，包括：在基片表面旋涂电子束光刻胶，并使用160摄氏度至190...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩婷婷，冯志红，吕元杰，敦少博，顾国栋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13