【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着微电子技术的迅速发展，全球信息化、网络化呈现出日新月异的景象，微电子技术发展水平的高低直接决定着集成电路的集成程度。依据摩尔定律，每隔3年，集成电路的集成度约增加4倍，其最小特征尺寸则相应缩小30％。微电子工业如此惊人的发展速度，所依赖的核心技术为光刻技术。光刻技术是指利用光刻胶在光照作用下经过曝光、显影、刻蚀等工艺将掩膜版上的图案转移到基底上的微细图案加工技术。随着光刻技术曝光波长的不断减小，在图案分辨率明显提高的同时，也带来了一些负面影响，尤其是在I线之后发展起来的深紫外光刻技术中。由于基底表面的光学反射效应，反射光线和入射光线相干涉，在光刻胶内部形成驻波效应和多重曝光，导致图案侧壁出现波浪似的锯齿状缺失，大大增加了控制刻蚀精确性的难度。为了克服以上问题，光刻工艺作出了改进，其在光刻胶下方形成了抗反射涂层(Anti-ReflectiveCoatings，简称ARC)，其能够有效缓解驻波效应，提高图案的精确性。然而，随着集成电路的特征尺寸不断减小，光刻工艺所形成...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成抗反射涂层；在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；以所述光刻胶图案和图案化的抗反射涂层为掩模，对所述基底进行刻蚀，以形成目标图案。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成抗反射涂层；在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；以所述光刻胶图案和图案化的抗反射涂层为掩模，对所述基底进行刻蚀，以形成目标图案。2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述光刻胶图案为负性光刻胶图案。3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述目标图案为沟槽。4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成光刻胶图案之后，进行所述干法刻蚀之前，对所述光刻胶图案进行处理，使得所述光刻胶图案中对应所述沟槽的窗口缩小。5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，纪世良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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