【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置使用于许多电子设备中，例如，个人电脑、行动电话、数位相机及其它电子设备。半导体装置的制造通常是通过依序地沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层的材料于半导体基底上，以及使用光刻技术图案化不同的材料层以形成电路组件及元件于其上。通过持续缩小的最小特征尺寸(minimumfeaturesize)，半导体产业持续改善各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，使得更多元件可被整合至一给定的面积中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，在使用的各个工艺中出现额外的问题，且这些额外的问题应该被解决。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法包含：图案化中间层以暴露间隔物材料；以及施用蚀刻剂以与中间层及间隔物材料两者实体接触，其中蚀刻剂包含抑制剂，其抑制间隔物材料的蚀刻速率。本公开实施例也提供一种半导体装置的制造方法包含：沉积间隔物材料于心轴层上；设置三层光致抗蚀剂于间隔物材料上，上述三层光致抗蚀剂包含：底层、中间层及光致抗蚀剂；图案化中间层及底层以形成第一开口并暴露出...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：图案化一中间层以暴露一间隔物材料；以及施用一蚀刻剂以与该中间层及该间隔物材料两者实体接触，其中该蚀刻剂包括一抑制剂，其抑制该间隔物材料的蚀刻速率。
【技术特征摘要】
2017.04.28 US 62/491,759;2017.10.03 US 15/724,0...
【专利技术属性】
技术研发人员：连建洲，许耀文，杨能杰，陈立民，吴嘉伟，陈冠霖，黄国彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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