【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用离子处理图案化特征的技术
本专利技术实施例涉及晶体管加工技术，且更具体来说，涉及对三维装置构造的加工。
技术介绍
随着半导体装置持续按比例缩小至更小的尺寸，将特征图案化的能力变得日益难以实现。一方面，这些困难包括在给定的一代技术中获得具有目标大小的特征的能力。另一困难是获得图案化特征的正确形状的能力及对图案化特征的正确放置。鉴于这些及其他考虑，本专利技术的改良可为有用的。
技术实现思路
在一个实施例中，一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征包括特征形状特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在所述衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝所述衬底射出离子，所述入射角度相对于所述衬底平面的垂线形成非零角度，其中所述离子曝光包含所述离子及反应性不带电物质，所述离子曝光对所述层材料进行反应性蚀刻，其中所述离子撞击所述表面特征的第一部分且不撞击所述表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，所述改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于所述表面特征：沿所述第一方向的所述尺寸、所述特征形状或所述特征位置。在另一实施例中，一种对衬底进行加工的...
【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征包括特征形状特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在所述衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝所述衬底射出离子，所述入射角度相对于所述衬底平面的垂线形成非零角度，其中所述离子曝光包含所述离子及反应性不带电物质，所述离子曝光对所述层材料进行反应性蚀刻，其中所述离子撞击所述表面特征的第一部分且不撞击所述表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，所述改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于所述表面特征：沿所述第一方向的所述尺寸、所述特征形状或所述特征位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.08 US 62/305,3081.一种方法，其特征在于，包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征包括特征形状特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在所述衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝所述衬底射出离子，所述入射角度相对于所述衬底平面的垂线形成非零角度，其中所述离子曝光包含所述离子及反应性不带电物质，所述离子曝光对所述层材料进行反应性蚀刻，其中所述离子撞击所述表面特征的第一部分且不撞击所述表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，所述改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于所述表面特征：沿所述第一方向的所述尺寸、所述特征形状或所述特征位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底特征包括空腔，所述空腔包括沿所述第一方向的第一尺寸及沿与所述第一方向垂直的第二方向的第二尺寸，且其中沉积所述层包括进行所述空腔的收缩，在所述空腔的收缩中所述第一尺寸及所述第二尺寸减小。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述离子曝光包括沿所述第一方向将所述层蚀刻第一量并沿所述第二方向将所述层蚀刻第二量，所述第二量小于所述第一量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述空腔在所述离子曝光之前包括圆形形状且在所述离子曝光之后包括细长形状。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻之后所述层材料被从所述空腔的底表面移除。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述空腔是在所述离子曝光之前形成于衬底材料内，且其中所述离子曝光包括沿所述第一方向蚀刻所述衬底材料以形成细长形状，其中所述细长形状包括沿所述第一方向的第三尺寸，所述第三尺寸大于所述第一尺寸。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述空腔在沉积所述层之前包括沟槽，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸，且其中在沉积所述层之后且在所述离子曝光之后，所述沟槽包括沿所述第二方向的第三尺寸，所述第三尺寸小于所述第一尺寸，且所述沟槽进一步包括沿所述第一方向的所述第一尺寸。8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述空腔在沉积所述层之前包括沟槽，其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸，且其中在沉积所述层之后且在所述离子曝光之后，所述沟槽包括沿所述第二方向的第三尺寸，所述第三尺寸小于所述第一尺寸，且所述沟槽进一步包括沿所述第一方向的第四尺寸，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赛门·罗芙尔，戴辉雄，郎军，约翰·哈塔拉，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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