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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成抗反射涂层；在所述抗反射涂层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，利用包含COS和氢气的混合气体对所述抗反射涂层进行干法刻蚀，以形成图案化的抗反射涂层；以所述光刻胶图案和图案化的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。