半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成图案化的光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行，暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层；进行第二次刻蚀，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀氧化层，暴露出部分第一掩膜层。于是通过分两步进行的第一次刻蚀，使得有机平坦化层刻蚀出来的侧面垂直度高，并且尽可能的避免刻蚀附着物的形成，从而在第二次刻蚀后，能够确保掩膜图案精确的传递至氧化层中。由此提高制得器件的质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
随着集成电路产业的不断发展，半导体器件的尺寸越来越小，集成度越来越高。而为了能在芯片上集成数目更多、尺寸更小的晶体管，需要不断开发出新的技术以不断地缩减晶体管尺寸。其中，一个发展方向是自对准型双重图形技术(SADP，Self-AlignedDoublePatterning)，又称之为侧墙图形技术(SPT，SpacerPatterningTechnology)，该技术能有效实现线条密度的加倍，形成线宽和间距均很小的高密度平行线条。但是，小型化同样需求更严格的精细程度，因此，如何在实现线条密度增加的情况下，更好的将掩膜版图案转移至具体结构上，是一个巨大的挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构的制作方法，以检测凹槽刻蚀时是否异常。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成图案化的光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行，暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层；以及进行第二次刻蚀，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀氧化层，暴露出部分第一掩膜层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供前端结构，所述前端结构包括依次形成的第一掩膜层、氧化层及第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分氧化层；在所述氧化层和第二掩膜层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成图案化的光刻胶；以所述图案化的光刻胶为掩膜，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行，暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层；以及进行第二次刻蚀，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀氧化层，暴露出部分第一掩膜层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀在氟基气体环境下进行。3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氟基气体环境包括：流量为10-300scmm的四氟化碳、流量小于等于100sccm的氟甲烷和流量小于等于100sccm的二氟甲烷。4.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行包括：采用羰基硫和氧气的混合气体进行第一步刻蚀至恰暴露出第二掩膜层；采用氮气和氢气的混合气体进行第二步刻蚀，至暴露出所述部分氧化层和所述第二掩膜层。5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述羰基硫的流量为5-200sccm，所述氧气的流量为5-100sccm；所述氮气的流量为10-500sccm，所述氢气的流量为10-300sccm。6.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀分两步进行包括：采用羰基硫和氧气的混合气体进行第一步刻蚀至恰暴露出第二掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王士京，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31