形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构技术

本发明专利技术涉及形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构，一项态样是针对形成集成电路结构的方法。该方法可包括：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。

Methods of Forming Integrated Circuit Structures and Related Integrated Circuit Structures

The invention relates to a method for forming an integrated circuit structure and related integrated circuit structures, a state sample for a method for forming an integrated circuit structure. The method may include: providing a set of fins positioned above a semiconductor substrate, comprising a plurality of working fins and a plurality of imaginary fins, comprising a first set of imaginary fins within a predefined distance from either of the plurality of working fins, and a set of fins beyond either of the plurality of working fins. The second fictitious fin subset of a predefined distance; the first fictitious fin subset is removed by extreme ultraviolet (EUV) microshadow technology; and at least part of the second fictitious fin subset is removed.

【技术实现步骤摘要】
形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构
本专利技术是关于形成集成电路结构的方法，其使用极紫外线(EUV)微影技术将离该集成电路结构内的工作鳍片在预定义距离内的虚设鳍片移除。
技术介绍
虽然各类光微影程序在所属
中属于已知，目前的半导体制作程序通常使用「极」紫外线(EUV)光微影在光阻层中形成预图型开口。于半导体晶圆制作期间，极紫外(EUV)光可在微影程序中用于自光学掩模至半导体晶圆实现非常小图型的转移，诸如纳米级图型。在EUV微影中，EUV微影掩模(亦称为EUV「分划板」)上形成的图型可通过使EUV光从反射表面的部分反射出去而转移至半导体晶圆。然而，由于EUV光的高能量及反射表面的粗糙度，不希望的光线会抵达光阻层的区域，从而改变待通过掩模来转移的图型。如此，所属
中常见且与EUV光微影相关联的一个图型化问题以跨布(cross)大距离的光的密度及密度变化为函数的光散射。特别的是，目前的EUV光微影程序一般苦于量少但可测的散射光「簇射」晶圆上邻接转移图型的区域。此现象在所属
中亦称为「EUV扩引」或单纯地称为「扩引」。此散射光为曝露至EUV光的区域的(所绘多角形状的)密度、及跨布晶圆的密度变化两者的函数。此扩引效应非所欲地使最终、转移的多角尺寸改变而偏离所欲(设计)值。如此，对于扩引效应，需要校正设计才能获得最佳晶圆图型。EUV扩引会使光远离曝露区数微米散射，甚至是数毫米。对于扩引的补偿，通常是通过「偏倚」设计来达成，用以对抗与因扩引而起的基线光增大相关联的全局尺寸变化。更大量的扩引可使用明场EUV分划板或掩模来造成。明场分划板包括最清楚的反射场，内有掩蔽吸收剂材料的「岛」。作为对照，暗场EUV分划板比明场EUV分划板具有更小的扩引程度。暗场分划板包括最暗场，使得该场大部分包括掩蔽吸收剂材料，内有「孔洞(hole)」或「开口(opening)」。正型显影(PTD)阻剂是一种光阻，该光阻的曝露至光的部分变为可溶于该光阻显影剂，而该光阻未曝露的部分则维持不可溶于该光阻显影剂。负型显影(NTD)阻剂是一种光阻，该光阻的曝露至光的部分变为不可溶于该光阻显影剂，而该光阻未曝露的部分则遭由该光阻显影剂溶解。在一些半导体程序步骤中，阻隔图型需要用微影来印刷。为了印刷阻隔图型，使用具有PTD阻剂的明场分划板或具有NTD阻剂的暗场分划板。具有PTD阻剂的明场分划板苦于EUV微影中的扩引，而且使用NTD阻剂的EUV微影在业界并不成熟。因此，难以用EUV微影来印刷阻隔图型。另外，EUV光微影技术进行成本高。
技术实现思路
本专利技术的第一项态样是针对形成集成电路结构的方法。该方法可包括：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。本专利技术的第二项态样是针对形成集成电路结构的方法。该方法可包括：提供位在半导体衬底上方的氮化物鳍片集合，该氮化物鳍片集合包括多个工作氮化物鳍片及多个虚设氮化物鳍片；进行极紫外线(EUV)微影技术将该多个虚设氮化物鳍片的第一子集从该半导体衬底上方移除，使得该多个虚设氮化物鳍片的第二子集与该多个工作氮化物鳍片留下，其中该多个虚设氮化物鳍片的该第一子集离该多个工作氮化物鳍片在预定义距离内，并且该多个虚设氮化物鳍片的该第二子集离该多个工作氮化物鳍片中任一者超出该预定义距离；以及进行极紫外线(EUV)微影技术将该多个虚设氮化物鳍片的第一子集从该半导体衬底上方移除，使得该多个虚设氮化物鳍片的第二子集与该多个工作氮化物鳍片留下，其中该多个虚设氮化物鳍片的该第一子集离该多个工作氮化物鳍片在预定义距离内，并且该多个虚设氮化物鳍片的该第二子集离该多个工作氮化物鳍片中任一者超出该预定义距离。本专利技术的第三项态样是针对集成电路结构。该半导体结构可包括：衬底，其包括具有第一高度的第一位置、及具有第二高度的第二、相异位置；以及自该衬底延展的半导体鳍片集合，其中该衬底的该第一位置没有该半导体鳍片集合，并且该衬底的该第二位置布置于该半导体鳍片集合的诸相邻半导体鳍片之间。本专利技术的前述及其它特征将由以下本专利技术的具体实施例的进一步特定说明而显而易见。附图说明本专利技术的具体实施例将搭配下列图式详述，其中相同的附图标记表示相似的组件，并且其中：图1至18根据本专利技术的第一态样，展示经受一种方法的集成电路结构，其中奇数编号的图式(例如图1、3、5…17)展示该集成电路结构的顶视图，而偶数编号的图式(例如图2、4、6…18)展示该集成电路结构的沿着该奇数编号图式的线条A-A所取看的截面图。图19至30根据本专利技术的另一态样，展示经受一种方法的集成电路结构，其中奇数编号的图式(例如图19、21、23…29)展示该集成电路结构的顶视图，而偶数编号的图式(例如图20、22、24…30)展示该集成电路结构的沿着该奇数编号图式的线条A-A所取看的截面图。图31至36根据本专利技术的另一态样，展示经受一种方法的集成电路结构，其中奇数编号的图式(例如图31、33及35)展示该集成电路结构的顶视图，而偶数编号的图式(例如图32、34及36)展示该集成电路结构的沿着该奇数编号图式的线条A-A所取看的截面图。注意到的是，本专利技术的图式并未按照比例。该图式用意仅在于绘示本专利技术的典型态样，因而不应该视为限制本专利技术的范畴。在图式中，相似的数符代表该图式之间相似的组件。具体实施方式本专利技术是关于形成集成电路结构的方法，其使用极紫外线(EUV)光微影技术将离该集成电路结构内的工作鳍片在预定义距离内的虚设鳍片移除。习知的阻隔掩模可用于移除离该工作氮化物鳍片超过或超出该预定义距离的氮化物鳍片。在习知的光学程序中，具有正性显影(PTD)光阻的明场分划板或具有负性显影(NTD)光阻的暗场分划板是用于图型化包括主动鳍片的阻隔物。在EUV程序中，具有PTD光阻的明场分划板导致高扩引及高缺陷性。再者，使用暗场分划板及NTD光阻的EUV程序尚非成熟程序。EUV微影技术一般只需要一次曝照便得以印刷单一小图型，例如所具间距小于大约80纳米(nm)的开口。习知的阻隔掩模或光学微影技术需要多次曝照才得以印刷所具间距小于大约80nm的图型，而且所需曝照次数愈多，制作集成电路结构的总体成本便愈大。5nm或更小技术节点中的鳍片间距远小于7nm与以上技术节点中的鳍片间距。这导致需要多个图型化步骤才得以界定具有高分辨率的主动鳍片。结果是，本专利技术是针对用于形成集成电路结构的方法，其除了进行习知的光学微影技术，还包括使用暗场分划板与PTD光阻进行EUV微影技术。本文中所揭示的方法导致EUV扩引减少。另外，通过在本方法期间仅使用一次EUV光微影技术，以及将更不昂贵的阻隔掩模或习知的光学微影技术用于其它微影程序，相比于现有技术，用于进行本文所述方法的总体成本得以降低。现请参阅图1，所示为初步集成电路(IC)结构100的顶视图。图2展示IC结构100的沿着图1的线条A-A取看的截面图。请一起参阅图1与2，IC结构100可包括上方形成有多个氮化物鳍片11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。

【技术特征摘要】
2017.05.08 US 15/589,3121.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供位在半导体衬底上方的鳍片集合，该鳍片集合包括多个工作鳍片及多个虚设鳍片，该多个虚设鳍片包括离该多个工作鳍片中任一者在预定义距离内的第一虚设鳍片子集、及离该多个工作鳍片中任一者超出该预定义距离的第二虚设鳍片子集；通过极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集的至少一部分移除。2.如权利要求1所述的方法，其中，该极紫外线微影技术运用具有正型显影(PTD)光阻的暗场分划板，该暗场分划板决定该预定义距离。3.如权利要求2所述的方法，其中，该预定义距离小于大约80纳米(nm)。4.如权利要求2所述的方法，其中，该极紫外线微影技术包括：图型化该正型显影光阻以使掩模位在该正型显影光阻底下的部分曝露；以及形成位在该掩模的该曝露部分中的开口以使该第一虚设鳍片子集曝露，其中，该多个工作鳍片及该第二虚设鳍片子集维持受该掩模覆盖。5.如权利要求1所述的方法，其中，在移除该第一虚设鳍片子集的同时，通过该极紫外线微影技术将该第二虚设鳍片子集的该至少一部分移除。6.如权利要求1所述的方法，其中，将该第二虚设鳍片子集的该至少一部分移除包含通过运用阻隔掩模的微影技术将该第二虚设鳍片子集整个移除。7.如权利要求6所述的方法，其中，运用该阻隔掩模的该微影技术包括：形成位在该第二虚设鳍片子集及该多个工作鳍片上方的该阻隔掩模；图型化光阻以使其底下该阻隔掩模的布置于该第二虚设鳍片子集上方的部分曝露；以及形成位在该阻隔掩模的该曝露部分中的开口以使该第二虚设鳍片子集曝露，其中，该工作鳍片维持受该阻隔掩模覆盖。8.如权利要求7所述的方法，进一步包含：在该阻隔掩模的该曝露部分中形成该开口之后，将该光阻从该阻隔掩模上方移除，并且移除该阻隔掩模。9.如权利要求1所述的方法，其中，该多个工作鳍片包括工作氮化物鳍片，而且进一步包含：使用该工作氮化物鳍片形成主动半导体鳍片。10.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：提供位在半导体衬底上方的氮化物鳍片集合，该氮化物鳍片集合包括多个工作氮化物鳍片及多个虚设氮化物鳍片；进行极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，王文辉，张洵渊，谢瑞龙，曾伽，朱雪莲，成敏圭，刘绍铭，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY