【技术实现步骤摘要】
具有横向蜿蜒栅极的场效应晶体管
本专利技术涉及半导体装置制造及集成电路，尤其涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。
技术介绍
场效应晶体管的装置结构通常包括本体区、定义于该本体区中的源极及漏极，以及经配置以切换在该本体区中在操作期间形成于沟道中的载流子流的栅极电极。当向该栅极电极施加超过指定阈值电压的控制电压时，该场效应晶体管被“开启”，且在该源极与漏极之间的该沟道中发生载流子流，从而产生装置输出电流。互补金属-氧化物半导体(complementarymetal-oxidesemiconductor；CMOS)电路可用于移动通信装置中(例如，便携式电脑、手机、平板电脑等)，以处理由该移动通信装置传输及/或接收的高频信号。位于芯片上的该电路可包括低噪声放大器以及高频开关，以允许天线所接收的高频信号自该低噪声放大器路由至其它芯片电路以及允许高频信号自功率放大器路由至该天线。该高频开关可包括通过CMOS制程所形成的场效应晶体管堆叠或组。该场效应晶体管组可包括多个栅指，它们在装置布局中具有直线平行布置。源...
【技术保护点】
1.一种场效应晶体管的结构，该结构包括：/n第一栅极电极，包括连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链；/n第二栅极电极，邻近该第一栅极电极设置，该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链，且该多个第二片段横向偏离该第一栅极电极的该第一非直线链的该多个第一片段；以及/n源/漏区，横向设置于该第一栅极电极与该第二栅极电极之间。/n
【技术特征摘要】
20190507 US 16/405,3681.一种场效应晶体管的结构，该结构包括：
第一栅极电极，包括连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链；
第二栅极电极，邻近该第一栅极电极设置，该第二栅极电极包括连续设置的多个第二片段，以定义第二非直线链，且该多个第二片段横向偏离该第一栅极电极的该第一非直线链的该多个第一片段；以及
源/漏区，横向设置于该第一栅极电极与该第二栅极电极之间。
2.如权利要求1所述的结构，其中，该多个第一片段与该多个第二片段相对彼此隔开设置，以在第一间距与小于该第一间距的第二间距之间交替。
3.如权利要求2所述的结构，其中，该源/漏区包括位于具有该第一间距的该多个第一片段与该多个第二片段之间的多个第一区域，且该源/漏区包括位于具有该第二间距的该多个第一片段与该多个第二片段之间的多个第二区域。
4.如权利要求3所述的结构，还包括：
接触层级，位于该第一栅极电极、该第二栅极电极，以及该源/漏区上方，该接触层级包括分别与该源/漏区的该多个第一区域耦接的多个接触。
5.如权利要求4所述的结构，其中，该源/漏区的该多个第二区域是未接触的。
6.如权利要求3所述的结构，其中，该第一栅极电极的该多个第一片段包括邻近该源/漏区的该多个第一区域定义的多个角。
7.如权利要求6所述的结构，其中，各该多个角被斜切。
8.如权利要求3所述的结构，还包括：
硅化物层，具有分别位于该源/漏区的该多个第一区域上的多个第一部分以及分别位于该源/漏区的该多个第二区域上的多个第二部分。
9.如权利要求2所述的结构，其中，该第一栅极电极具有第一侧壁，该第二栅极电极具有第二侧壁，且该第一栅极电极的该第一侧壁以该第一间距或该第二间距与该第二栅极电极的该第二侧壁隔开。
10.如权利要求1所述的结构，其中，该第一栅极电极包括具有呈现反映该多个第一片段的该第一非直线链的方向变化的轮廓的侧壁，且还包括：
侧壁间隔体，与该第一栅极电极的该侧壁相邻，该侧壁间隔体经设置以遵循该第一栅极电极的该侧壁的该轮廓。
11.如权利要求1所述的结构，其中，该多个第一片段经分布以在沿第一纵轴的对齐与沿相对该第一纵轴横向偏移的第二纵轴的对齐之间的该第一非直线链中交替。
12.一种形成场效应晶体管的方法，该方法包括：
形成第一栅极电极，该第一栅极电极包括连续设置的多个第一片段，以定义第一非直线链；以及
形成邻近该第一栅极电极设置的第二栅极电极，
其中，该第二栅极电极包括连续...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼·K·史塔佩尔，史蒂芬·M·宣克，M·J·阿布哈利勒，西瓦·P·阿度苏米利，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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