不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法技术

本申请公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。本申请通过将栅极做成阶梯状，使得后续使用一个源漏掩模板即可形成不对称的源极和漏极结构，从而不仅改善了晶体管的性能问题，而且也节省了掩模板的制作工艺。

【技术实现步骤摘要】
不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
场效应晶体管应用于集成电路(IC)中以执行各种数字和模拟功能，随着场效应晶体管(MOSFET)的工艺微细化，使得晶体管的沟道长度逐渐缩短，从而导致晶体管受到GIDL(GateInduceddrainLeakage栅致漏极泄漏)/DIBL(DrainInducedBarrierLowering漏致势垒降低)效应的影响越来越严重，使得晶体管阈值电压降低，器件电压增益下降，同时也限制了超大规模集成电路集成度的提高。
技术实现思路
本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法，该目的是通过以下技术方案实现的。本申请的第一方面提出了一种不对称型源漏场效应晶体管，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。本申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种不对称型源漏场效应晶体管，其特征在于，包括：/n位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；/n分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种不对称型源漏场效应晶体管，其特征在于，包括：
位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；
分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。


2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体衬底包括一凹槽；
所述栅极位于所述凹槽的边界上，其中的一部分位于所述凹槽内部，另一部分位于所述凹槽外部；
所述漏极或所述源极位于所述凹槽内部。


3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括：
位于所述栅极两侧的栅侧墙，所述两个栅侧墙的厚度不一致，且所述两个侧墙的高度也不一致。


4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极为叠层结构，包括栅介质层和栅电极层；
其中，所述栅介质层与所述半导体衬底接触。


5.一种不对称型源漏场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成一凹槽；
在所述凹槽的边界上形成底部呈阶梯型的栅极；所述栅极的一部分位于凹槽内部，另一部分位于凹槽外部；
在所述栅极的两侧形成栅侧墙，所述两个栅侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵一，吴容哲，刘金彪，王桂磊，贺晓彬，丁明正，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11