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本申请公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制造方法，包括：位于半导体衬底上的栅极，所述栅极的底部呈阶梯形状；分别位于所述栅极两侧半导体衬底中的漏极与源极，所述漏极相对所述栅极顶部的高度与所述源极相对所述栅极顶部的高度不相同。本申请通过将栅...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。