横向扩散高压器件及其制造方法技术

本申请公开了一种横向扩散高压器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该横向扩散高压器件至少包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区、第一栅极、第二栅极、场氧化层、栅氧化层；栅氧化层位于衬底表面；场氧化层位于栅氧化层的上方，且场氧化层被漂移区包围；第一栅极位于栅氧化层的上方，第一栅极横跨部分体区、部分漂移区，且第一栅极延伸至场氧化层的上方；第二栅极位于场氧化层的上方，且第二栅极与第一栅极不连接；第一栅极通过层间介质层中的接触孔与栅极金属线连接，栅极金属线位于第二栅极的上方，且栅极金属线与第二栅极有交叠的区域。解决了横向扩散高压器件的击穿电压会受到器件尺寸大小的限制的问题，达到了提高器件性能的效果。

【技术实现步骤摘要】
横向扩散高压器件及其制造方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种横向扩散高压器件及其制造方法。
技术介绍
横向高压器件是高压集成电路中常用的一种器件，具有高耐压、高输入阻抗、低功耗等特定，可以被应用于电源管理。如图1所示，横向扩散高压器件的常见结构包括体区11、漂移区12、栅极13、栅氧化层14、场氧化层15。在该结构中，通过场氧化层15减小漂移区12内的表面电场强度。场氧化层的厚度与器件的应用电压有关，器件的应用电压越高，场氧化层的厚度越大。随着工艺节点缩小，接触孔的深度也会变小，场氧化层的厚度增加会受到接触孔深度的限制。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种横向扩散高压器件及其制造方法。该技术方案包括：第一方面，本申请实施例提供了一种横向扩散高压器件，至少包括衬底、位于所述衬底内的漂移区和体区、第一栅极、第二栅极、场氧化层、栅氧化层；体区内设置有源区，漂移内设置有漏区；栅氧化层位于衬底表面；场氧化层位于栅氧化层的上方，且场氧化层被漂移区包围；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向扩散高压器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底内的漂移区和体区、第一栅极、第二栅极、场氧化层、栅氧化层；/n所述体区内设置有源区，所述漂移内设置有漏区；/n所述栅氧化层位于所述衬底表面；/n所述场氧化层位于所述栅氧化层的上方，且所述场氧化层被所述漂移区包围；/n所述第一栅极位于所述栅氧化层的上方，所述第一栅极横跨部分体区、部分漂移区，且所述第一栅极延伸至所述场氧化层的上方；/n所述第二栅极位于所述场氧化层的上方，且所述第二栅极与所述第一栅极不连接；/n所述第一栅极通过层间介质层中的接触孔与栅极金属线连接，所述栅极金属线位于所述第二栅极的上方，且所述栅极金属线与所述第二栅极有交...

【技术特征摘要】
1.一种横向扩散高压器件，其特征在于，至少包括衬底、位于所述衬底内的漂移区和体区、第一栅极、第二栅极、场氧化层、栅氧化层；
所述体区内设置有源区，所述漂移内设置有漏区；
所述栅氧化层位于所述衬底表面；
所述场氧化层位于所述栅氧化层的上方，且所述场氧化层被所述漂移区包围；
所述第一栅极位于所述栅氧化层的上方，所述第一栅极横跨部分体区、部分漂移区，且所述第一栅极延伸至所述场氧化层的上方；
所述第二栅极位于所述场氧化层的上方，且所述第二栅极与所述第一栅极不连接；
所述第一栅极通过层间介质层中的接触孔与栅极金属线连接，所述栅极金属线位于所述第二栅极的上方，且所述栅极金属线与所述第二栅极有交叠的区域。


2.根据权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述漏区和所述源区分别通过层间介质层中的接触孔与正面金属层连接。


3.根据权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述第二栅极被所述栅极金属线完全覆盖。


4.根据权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极的两侧分别设置有侧墙。


5.根据权利要求1所述的横向扩散高压器件，其特征在于，所述漏区的顶部、所述源区的顶部、所述第一栅极的顶部分别设置有金属硅化物。


6.一种横向扩散高压器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底内形成横向扩散高压器件的体区和漂移区；
在所述衬底表面形成栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32